[发明专利]半导体装置、麦克风和用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置(100)，包括：

膜片结构(110)，具有开口(111)；

第一背板结构(120)，被布置在所述膜片结构(110)的第一侧上；

第二背板结构(130)，被布置在所述膜片结构(110)的第二侧上；和

垂直连接结构(140)，连接所述第一背板结构(120)与所述第二背板结构(130)，其中所述垂直连接结构(140)延伸穿过所述开口(111)，

其中所述膜片结构(110)通过结构化而形成至少两个彼此分开的局部区域，并且其中所述垂直连接结构(140)包括所述膜片结构(110)的所述至少两个彼此分开的局部区域中的一个局部区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直连接结构(140)具有在垂向上布置在第一局部区域与第三局部区域之间的第二局部区域，并且其中所述第二局部区域的材料不同于所述第一局部区域和所述第三局部区域的材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一局部区域和所述第三局部区域的材料为电绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直连接结构(140)和所述膜片结构(110)在所述开口(111)的区域中在横向上彼此间隔至少100nm。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直连接结构(140)在所述第一背板结构(120)与所述膜片结构(110)之间的区域中的平均周长相对于所述垂直连接结构(140)在所述膜片结构(110)与所述第二背板结构(130)之间的区域中的平均周长相差至少10％。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一背板结构(120)和所述第二背板结构(130)中的至少一个具有多个通道。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述多个通道占据所述第一背板结构(120)和所述第二背板结构(130)中的至少一个的表面的至少60％。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述膜片结构被布置在所述第一背板结构(120)与所述第二背板结构(130)之间的空腔中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直连接结构(140)与所述膜片结构(110)的边缘的横向距离是所述膜片结构(110)的横向延伸的至少25％。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开口(111)与所述膜片结构(110)的边缘的横向距离至少为5μm。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第一电路，所述第一电路被设置用于向所述第一背板结构(120)和所述第二背板结构(130)中的至少一个以及所述膜片结构(110)施加不同的电势。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二电路，所述第二电路被设置用于产生与所述膜片结构(110)相对于所述第一背板结构(120)或所述第二背板结构(130)的距离相关的信号。

13.一种麦克风，具有根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置。