[发明专利]半导体装置、麦克风和用于制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201711397828.5 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN108235218B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: S·巴曾;W·弗里扎;M·菲尔德纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00;H04R19/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张鹏
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 麦克风 用于 制造 方法
【说明书】:

发明提出了一种半导体装置。该半导体装置包括具有开口的膜片结构。此外,该半导体装置包括布置在膜片结构的第一侧上的第一背板结构以及布置在膜片结构的第二侧上的第二背板结构。该半导体装置还包括连接第一背板结构与第二背板结构的垂直连接结构。在此,垂直连接结构延伸穿过开口。

技术领域

多种实施例涉及半导体装置、麦克风以及制造半导体装置的方法。

背景技术

电容式半导体麦克风除了膜片之外还可具有由气隙分开的两个背板。背板应尽可能薄并具有较大的开口,以实现较高的声波透射性。同样应避免背板的弯曲。

发明内容

存在对提出一种具有膜片的半导体装置的方案的需求,该方案能够改善半导体装置的稳健性、改善膜片的运动灵活性和/或改善对膜片运动的探测精度。

该需求可通过根据本发明所述的对象得以满足。

半导体装置的实施例包括一种具有开口的膜片结构。此外,半导体装置包括布置在膜片结构的第一侧上的第一背板结构以及布置在膜片结构的第二侧上的第二背板结构。半导体装置还包括将第一背板结构与第二背板结构连接的垂直连接结构。在此,垂直连接结构延伸穿过开口。

其他实施例涉及一种具有上述半导体装置的麦克风。

此外,实施例涉及一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括形成第一层结构以制造第一背板结构。此外,该方法包括形成第二层结构以制造具有开口的膜片结构。该方法还包括形成第三层结构以制造第二背板结构。该方法进一步还包括去除在第一背板结构与膜片结构之间的第一牺牲层结构的至少一部分以及在第二背板结构与膜片结构之间的第二牺牲层结构的至少一部分,从而保留连接第一背板结构与第二背板结构并且延伸穿过膜片结构开口的垂直连接结构。

附图说明

下面参考附图详细说明实施例。

图1示出了半导体装置的一个实施例;

图2示出了麦克风的一个实施例;

图3a至图3c示出了垂直连接结构的不同实施例;

图4示出了半导体装置的另一实施例;

图5示出了用于制造半导体装置的方法的一个实施例的流程图;并且

图6a和图6b示出了在用于制造半导体装置的方法的不同方法步骤中的半导体结构。

具体实施方式

现在参考附图更详细地说明不同的实施例,在这些附图中示出了一些实施例。在附图中,为了清楚起见,线、层和/或区域的厚度尺寸可能被夸大地示出。

在以下对仅示出示例性实施例的附图的说明中,相同的附图标记可表示相同或相似的部件。此外,对于在一个实施例或一个附图中多次出现但关于一个或多个特征被共同说明的部件和对象可使用概括性的附图标记。以相同或概括性的附图标记说明的部件或对象在单个、多个或全部特征(例如其尺寸)方面可相同地被实施,然而必要时也可不同地被实施,除非在说明中另有明确或隐含的描述。

尽管可对实施例进行各种修改和改变,但仍以附图中的实施例作为示例进行示出并且在本文中予以详细说明。然而应明确指出的是,这并不意图将实施例限制到相应公开的形式,而是实施例旨在覆盖在本发明范围内的所有功能上的和/或结构上的修改、等价方案和替代方案。相同的附图标记在所有附图说明中表示相同或相似的元件。

应注意的是,一个元件被称为与另一元件“连接”或“耦合”,可以是该元件与该另一元件直接连接或耦合,或者可以是存在有位于它们之间的元件。

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