[发明专利]一种SiC VDMOS器件在审
| 申请号： | 201711400450.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108155240A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;廖天;张凯;方健;杨霏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 表面形成 高阻材料 间断分布 正向导通 反型层 功率半导体技术 低电阻通路 传统结构 传统平面 导通电阻 电子通路 栅极结构 积累型 漏极 源极 源漏 隔离 覆盖 | ||
1.一种SiC VDMOS器件，在N型衬底(1)上形成N型高阻半导体材料(2)；在N型高阻半导体材料(2)表面形成P型阱区(7)，所述P型阱区(7)上表面的中心区域形成P型体接触区(5)，P型体接触区(5)的外侧形成N型源区(6)，N型源区(6)和P型体接触区(5)的共同引出端为源极；
其特征在于，沿器件纵向方向，所述P型阱区(7)是间断分布的，由N型高阻半导体材料(2)隔离开；所述器件纵向方向为同时与器件水平方向和垂直方向垂直的第三维方向；
在P型阱区(7)和N型高阻半导体材料(2)上表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极绝缘材料(3)和位于栅极绝缘材料(3)上的导电材料(4)，所述导电材料(4)引出端为栅极；栅极之下，P型阱区(7)表面形成反型层沟道，N型高阻半导体材料(2)表面形成积累型沟道。
2.根据权利要求1所述的一种SiC VDMOS器件，其特征在于，所述SiC VDMOS器件具有方形元胞结构，所述P阱区(7)以P体接触区(5)和N源区(6)为中线，在中线两侧呈对称间断分布。
3.根据权利要求1所述的一种SiC VDMOS器件，其特征在于，所述SiC VDMOS器件具有条形元胞结构，所述P阱区(7)以P体接触区(5)和N源区(6)为中线，在中线两侧呈对称间断分布。
4.根据权利要求1所述的一种SiC VDMOS器件，其特征在于，所述SiC VDMOS器件具有条形元胞结构，所述P阱区(7)以P体接触区(5)和N源区(6)为中线，在中线两侧呈交错分布。
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