[发明专利]形成具有STI区的集成电路的方法及所产生的IC结构

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，包含：

在一半导体层中形成数个沟槽以界定至少一半导体台面，该半导体台面具有数个第一侧壁；

形成在该沟槽内且侧向邻接该半导体台面的该第一侧壁的数个第一侧壁间隔体；

在该第一侧壁间隔体的该形成步骤之后且在完全填满该沟槽之前，使用该半导体台面形成一装置，其中，形成该装置包含：

形成具有第一部分与第二部分的栅极，该第一部分在该半导体台面的顶面上，该第二部分在该半导体台面的一侧上的一个该第一侧壁间隔体上方侧向延伸且进入该数个沟槽中的一个；及

形成数个第二侧壁间隔体与一第三侧壁间隔体，其中，该第二侧壁间隔体侧向邻接该栅极的该第一部分与该第二部分的第二侧壁，且其中，该第三侧壁间隔体侧向邻接该半导体台面的在该栅极的该第二部分对面的另一侧上的另一个该第一侧壁间隔体；以及

沉积一毯覆层间介电层，其中，该第一侧壁间隔体与该毯覆层间介电层包含不同的介电质材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一侧壁间隔体包含氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该毯覆层间介电层的该沉积步骤更包含：沉积该毯覆层间介电层于该数个沟槽内且于该装置上面。

4.如权利要求1所述的方法，更包含，在该毯覆层间介电层的该沉积步骤之前，形成一共形蚀刻停止层于该装置上方且于该数个沟槽内，其中，该共形蚀刻停止层包含与该毯覆层间介电层不同的介电质材料。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，该第二侧壁间隔体及该第三侧壁间隔体包含与该第一侧壁间隔体不同的介电质材料。

6.一种形成集成电路结构的方法，包含：

提供一绝缘体上覆半导体晶片，其包含衬底、在该衬底上的半导体层，以及在该半导体层上的绝缘体层；

在该半导体层中形成数个沟槽以在该绝缘体层上界定多个半导体台面，其中，该半导体台面具有数个第一侧壁；

在该沟槽内形成侧向邻接该半导体台面的该第一侧壁的数个第一侧壁间隔体；

在该第一侧壁间隔体的该形成步骤之后，使用该半导体台面形成数个装置，其中，形成该数个装置包含：

使用第一半导体台面形成至少一场效应晶体管以及使用第二半导体台面形成第一电阻器，其中，该至少一场效应晶体管包含具有第一部分与第二部分的栅极，该第一部分在该第一半导体台面的顶面上，该第二部分在该第一半导体台面的一侧上的一个第一侧壁间隔体上方侧向延伸且进入该数个沟槽中的一个，且在该装置的该形成步骤期间，在侧向位于相邻半导体台面之间的沟槽内形成一附加装置，其中，形成该附加装置包含形成第二电阻器；及

形成数个第二侧壁间隔体与数个第三侧壁间隔体，其中，该第二侧壁间隔体侧向邻接该第二电阻器与该栅极的该第一部分与该第二部分的第二侧壁，且其中，该第三侧壁间隔体侧向邻接该第二半导体台面的该第一侧壁间隔体且侧向邻接该第一半导体台面的在该栅极的该第二部分对面的另一侧上的另一个该第一侧壁间隔体；以及

沉积一毯覆层间介电层，其中，该第一侧壁间隔体与该层间介电层包含不同的介电质材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该第一侧壁间隔体包含氮化硅。

8.如权利要求6所述的方法，其中，该毯覆层间介电层的该沉积步骤更包含：沉积该毯覆层间介电层于该沟槽中的至少一些内且于该附加装置及该装置上面。

9.如权利要求6所述的方法，更包含，在该毯覆层间介电层的该沉积步骤之前，沉积共形蚀刻停止层，其中，该共形蚀刻停止层包含与该毯覆层间介电层不同的介电质材料。