[发明专利]一种全介质混合谐振结构及滤波器在审
申请号: | 201711402359.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN109962325A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 孟庆南;朱晖 | 申请(专利权)人: | 香港凡谷發展有限公司 |
主分类号: | H01P7/10 | 分类号: | H01P7/10;H01P7/06;H01P1/208 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 黄行军 |
地址: | 430200 湖北省武汉市江夏区东湖新*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振单元 单腔 介电常数 全介质 滤波器 介质谐振杆 混合谐振 空腔介质滤波器 同轴布置 | ||
1.一种全介质混合谐振结构,包括单腔块和设置于该单腔块内的介质谐振杆(1),其特征在于:所述单腔块为全介质单腔块(4),所述介质谐振杆(1)包括同轴布置的中间谐振单元(2)和端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的两端至少各布置有一个所述端部谐振单元(3),所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述端部谐振单元(3)的介电常数,所述中间谐振单元(2)的介电常数大于所述全介质单腔块(4)的介电常数。
2.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:设置于中间谐振单元(2)两端的所述端部谐振单元(3)的数量相对应。
3.根据权利要求2所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述中间谐振单元(2)的每一端至少设置有两个所述端部谐振单元(3),靠近中间谐振单元(2)的所述端部谐振单元(3)的介电常数大于远离中间谐振单元(2)的所述端部谐振单元(3)的介电常数。
4.根据权利要求3所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述中间谐振单元(2)的长度大于所述端部谐振单元(3)的长度。
5.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述中间谐振单元(2)和所述端部谐振单元(3)紧密接触,或者所述中间谐振单元(2)和所述端部谐振单元(3)采用分体式结构成型,所述中间谐振单元(2)与所述端部谐振单元(3)之间通过拼接成一整体结构。
6.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述介质谐振杆(1)设置成圆柱体、正方体或长方体,且其内部设置为中空,或中心设置成通孔或盲孔。
7.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述全介质单腔块(4)设置成圆柱体、正方体或长方体。
8.根据权利要求1所述的全介质混合谐振结构,其特征在于:所述介质谐振杆(1)填充于所述全介质单腔块(4)的内孔处且与所述全介质单腔块(4)粘结或压接。
9.一种安装有全介质混合谐振结构的滤波器包括腔体(4)、盖板(5)和耦合调谐螺杆(6),所述盖板(5)盖设于所述腔体(4)上方,所述耦合调谐螺杆(6)设置在腔体(4)内,所述腔体(4)内设有多个介质谐振器,其特征在于:所述介质谐振器为权利要求1-9任意一项权利要求所述的全介质混合谐振结构。
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