[发明专利]热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质有效
申请号: | 201711404451.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108231627B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 碛本荣一;七种刚;脊古裕司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 以及 计算机 存储 介质 | ||
1.一种热处理装置,在包括盖体的处理室内具备热板,所述热板载置基板并对被载置的该基板进行加热,其中,所述盖体用于覆盖载置在该热板上的所述基板的被处理面,所述热处理装置的特征在于,具备:
控制部,其至少对所述热板的温度进行控制;
温度测定部,其测定所述盖体的温度;以及
存储部,按所述热板的每个设定温度存储在变更为相应设定温度后所述盖体的温度稳定时的相应盖体温度即稳定时盖体温度,
其中,在所述热板的所述设定温度被变更了时,所述控制部基于同变更后的所述设定温度对应的所述稳定时盖体温度与由所述温度测定部测定出的所述盖体的温度之间的差来进行对所述热板的加热量的校正以得到变更后的所述设定温度。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
所述热板被分割为多个区域,
所述控制部按每个所述区域对被分割为所述多个区域的所述热板的温度进行控制,
所述温度测定部按与被分割为所述多个区域的所述热板的各区域对应的每个部分测定所述盖体的温度,
在所述热板的设定温度被变更了时,所述控制部按每个所述区域基于由所述温度测定部测定出的所述盖体的与相应区域对应的部分的温度来进行对所述热板的加热量的校正。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
对所述热板的加热量的校正为对用于加热所述热板的加热部的操作量的调整,所述控制部进行对所述加热部的操作量的调整,使得所述盖体的温度为与所述变更后的所述设定温度对应的所述稳定时盖体温度。
4.一种热处理方法,利用载置有基板的热板来对所述基板进行加热,所述热处理方法的特征在于,包括以下工序:
测定工序,按所述热板的每个设定温度存储在变更为相应设定温度后覆盖热板的被处理面并构成处理室的盖体的温度稳定时的相应盖体温度即稳定时盖体温度,并对所述盖体的温度进行测定;以及
校正工序,在所述热板的所述设定温度被变更了时,基于同变更后的所述设定温度对应的所述稳定时盖体温度与进行所述测定所得到的所述盖体的温度之间的差来进行对所述热板的加热量的校正以得到变更后的所述设定温度。
5.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,
所述热板被分割为被独立地控制温度的多个区域,
所述测定工序为以下工序:按与被分割为所述多个区域的所述热板的各区域对应的每个部分测定所述盖体的温度,
所述校正工序包括以下工序:在所述热板的设定温度被变更了时,按每个所述区域,基于进行所述测定所得到的所述盖体的与相应区域对应的部分的温度来进行对所述热板的加热量的校正。
6.根据权利要求4或5所述的热处理方法,其特征在于,
对所述热板的加热量的校正为对用于加热所述热板的加热部的操作量的调整,
所述校正工序包括以下工序:通过进行对所述加热部的操作量的调整来对所述盖体的温度进行反馈控制,使得所述盖体的温度为与所述变更后的所述设定温度对应的所述稳定时盖体温度。
7.一种可读取的计算机存储介质,保存有以下程序,
所述程序在用于控制热处理装置的控制部的计算机上进行动作,使得通过相应热处理装置来执行根据权利要求4至6中的任一项所述的热处理方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造