[发明专利]热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质

说明书

本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。

技术领域

本发明涉及一种对基板进行热处理的热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。

背景技术

例如，在半导体器件的制造工艺中的光刻工序中，例如按向作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)表面的被处理膜上供给涂布液来形成反射防止膜、抗蚀膜的涂布处理、将抗蚀膜曝光成规定的图案的曝光处理、使曝光后的抗蚀膜显影的显影处理、对晶圆进行加热的热处理等的顺序依次进行这些处理，从而在晶圆上形成规定的抗蚀图案。然后，将抗蚀图案作为掩膜来进行蚀刻处理，由此在被处理膜转印规定的图案。

通过热处理装置进行上述热处理。热处理装置具有载置基板并对该基板进行加热的热板、以及覆盖该热板的上表面并形成处理室的盖体。而且，在由盖体形成的处理室内，将基板载置于被设定为规定温度的热板上来对该基板进行加热。

可是，当基于工艺制程来变更基板的加热温度时，使热板的设定温度变更，但此时形成处理室的盖体的热容量比热板的热容量大，因此相比于热板，到盖体的温度变为稳定的状态为止更花费时间。

而且，基板的加热处理不仅受热板的温度影响，还受盖体的温度影响，因此如果盖体的温度不为稳定状态，则基板的热处理变得不稳定，基板的质量产生偏差。另外，如果设为在待机到盖体的温度变为稳定状态为止后进行热处理，则浪费时间，使得生产率下降。

因此，专利文献1的热处理装置在盖体的外侧的表面设置有能够调整温度的温度调整部，例如在热板的设定温度上升时利用温度调整部使盖体升温。另外，专利文献1的热处理装置由珀耳帖元件构成温度调整部，由此还能够进行盖体的冷却。

专利文献2的热处理装置构成为使保持构件中的用于直接保持盖体的保持部从盖体脱离自如，从而能够使盖体的热容量减少，该保持构件能够使盖体沿上下方向移动。因而，如果在热板温度上升时使保持部脱离，则盖体的温度迅速上升并迅速地变为稳定状态。

专利文献1：日本特开平10-189429号公报

专利文献2：日本特开2001-274064号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1的热处理装置中，如果设为在变更热板的设定温度时当冷却盖体时使用珀耳帖元件，则装置的结构变得复杂。另外，如果设为在专利文献1的热处理装置的温度调整部只设置加热功能，不设置冷却功能而使盖体的冷却通过自然冷却来进行，则由于在盖体设置温度调整部而盖体的热容量大幅度上升，因此盖体的冷却需要时间，即盖体达到稳定状态需要时间。因而，紧接在变更热板温度之后，基板的热处理变得不稳定，因此已被热处理过的基板的质量产生偏差。

另外，在专利文献2的热处理装置中，即使设为能够从盖体装卸盖体的保持部，盖体的热容量也大，因此在变更热板温度时，直到盖体的温度达到稳定状态为止的时间的缩短化是有限的，为了抑制基板的质量的偏差，也期望进一步缩短时间。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，在对基板进行热处理的热处理装置中，即使装置的结构简单也能够抑制基板的质量的偏差。

用于解决问题的方案