[发明专利]半导体静电放电保护元件

权利要求书

1.一半导体静电放电保护元件，包括：

一基底，是具有一第一导电型；

一栅极，是形成在该基底上；

一源极区和一漏极区，是形成在该基底中，该源极区和该漏极区具有一第二导电型，且该第二导电型与该第一导电型互补；

一本体区，是形成在该基底中，该本体区具有该第一导电型，其中该本体区电性连接至该栅极；以及

一布线层，该本体区藉该布线层电性连接至该栅极，

其中该漏极区电性连接至一第一接垫，而该源极区电性连接至一第二接垫，

其中该栅极借着一电容器电性连接至该第一接垫，且该栅极藉一电阻器电性连接至该第二接垫，而且

其中该第一接垫是电源接垫或I/O接垫，该第二接垫为一接地接垫。

2.如权利要求1所述的半导体静电放电保护元件，其中该漏极区形成在该栅极及该本体区之间。

3.如权利要求2所述的半导体静电放电保护元件，还包括一第一绝缘结构，是形成在该基底中，该本体区藉该第一绝缘结构，与该漏极区分隔。

4.如权利要求1所述的半导体静电放电保护元件，其中该源极区的一底表面、该漏极区的一底表面以及该本体区的一底表面，是与该基底接触。

5.如权利要求1所述的半导体静电放电保护元件，还包括一第一阱区，是形成在该基底中，且该第一阱区包括该第一导电型。

6.如权利要求5所述的半导体静电放电保护元件，其中该源极区、该漏极区以及该本体区，是藉该第一阱区，与该基底分隔。

7.如权利要求6所述的半导体静电放电保护元件，其中该源极区的一底表面、该漏极区的一底表面以及该本体区的一底表面，是与该第一阱区接触。

8.如权利要求5所述的半导体静电放电保护元件，还包括一掺杂区、一第二阱区以及一深阱，是形成在该基底中，其中该掺杂区、该第二阱区以及该深阱，包括该第二导电型。

9.如权利要求8所述的半导体静电放电保护元件，还包括一第二绝缘结构，是形成在该基底中，且该本体区藉该第二绝缘结构，与该掺杂区分隔。

10.如权利要求9所述的半导体静电放电保护元件，其中该掺杂区藉该第二阱区，与该深阱分隔。

11.如权利要求10所述的半导体静电放电保护元件，其中该掺杂区的一底表面与至少该第二绝缘结构的一底表面的一部分，是与该第二阱区接触。

12.如权利要求10所述的半导体静电放电保护元件，其中该第一阱区与该第二阱区，是藉该深阱与该基底分离。

13.如权利要求12所述的半导体静电放电保护元件，其中该第一阱区的一底表面与该第二阱区的一底表面，是接触该深阱。

14.如权利要求12所述的半导体静电放电保护元件，其中该源极区、该漏极区以及该本体区，是藉该第一阱区，与该深阱及该基底分隔。

15.如权利要求14所述的半导体静电放电保护元件，其中该源极区的一底表面、该漏极区的一底表面与该本体区的一底表面，是接触该第一阱区。