[发明专利]导热垫片及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种导热垫片的制备方法，包括以下步骤：

按重量份，提供1600～1650份的导热填料，所述导热填料包括粒径范围为1～3μm的第一氧化铝颗粒、粒径范围为4～6μm的第二氧化铝颗粒、及粒径范围为60～80μm的第三氧化铝颗粒；

提供5～8份的硅烷偶联剂，混合所述硅烷偶联剂和导热填料，所述硅烷偶联剂吸附于导热填料的表面，得到改性的导热填料；

提供100～110份的乙烯基硅油，混合所述乙烯基硅油和改性的导热填料，所述硅烷偶联剂的亲有机基团与乙烯基硅油结合，使得改性的导热填料分散于乙烯基硅油中，得到基料；

对所述基料依次进行压延处理和成型固化处理，得到导热垫片。

2.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒的质量比范围为：5～7：3～4：1。

3.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒具有球形结构、类球形结构或不规则结构。

4.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述乙烯基硅油中乙烯基含量为0.5～1％。

5.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲基硅烷、γ-胺丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、氨基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、或丁二烯基三乙氧基硅烷。

6.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：

提供5～8份铂金催化剂和0.001～0.005份延迟剂，混合所述基料、铂金催化剂及延迟剂。

7.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：

对所述基料进行抽真空处理，所述抽真空处理的时间为15～30分钟。

8.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述固化处理为：于130～150℃的温度下对所述基料进行固化处理，该固化处理的时间为10～120分钟。

9.一种由权利要求1-8任一项所述的导热垫片的制备方法所制得的导热垫片。

10.一种电子装置，其特征在于，包括壳体、容纳于该壳体内的发热件、及如权利要求9所述的导热垫片，所述导热垫片夹设于壳体与发热件之间。