[发明专利]导热垫片及其制备方法、电子装置

说明书

本发明提供一种导热垫片的制备方法、由该方法所制得的导热垫片及应用该导热垫片的电子装置。所述导热垫片的制备方法，包括以下步骤：按重量份，提供1600～1650份的导热填料，所述导热填料包括粒径范围为1～3μm的第一氧化铝颗粒、粒径范围为4～6μm的第二氧化铝颗粒、及粒径范围为60～80μm的第三氧化铝颗粒；提供6～8份的硅烷偶联剂，混合所述硅烷偶联剂和导热填料，所述硅烷偶联剂吸附于导热填料的表面，得到改性的导热填料；提供100～110份的乙烯基硅油，混合所述乙烯基硅油和改性的导热填料，所述硅烷偶联剂的亲有机基团与乙烯基硅油结合，使得改性的导热填料分散于乙烯基硅油中，得到基料；对所述基料依次进行压延处理和成型固化处理，得到导热效果佳的导热垫片。

技术领域

本发明涉及电子装置技术领域，尤其涉及一种导热垫片的制备方法，由该导热垫片的制备方法所制得的导热垫片、和应用该导热垫片的电子装置。

背景技术

随着电子设备的快速发展，快速充电成为电子行业的重要研究方向。电子设备在进行快速充电的过程中会产生大量的热量。通常采用于电子设备中设置导热垫片的方式，来导出电子设备产生的热量。然而，传统的导热垫片的导热系数较低，仅为1～3瓦/米·度(w/mk)，因而导热效果较差，难以快速、及时地将电子设备产生的热量导出。另外，传统的导热垫片还具有阻燃性差、出油率高、及掉粉等缺陷，从而进一步限制了传统的导热垫片于电子设备中的应用。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种导热垫片的制备方法，旨在解决现有技术中的导热垫片的导热效果低、阻燃性差、出油率高、及掉粉的缺陷。

为解决上述技术问题，本发明提供的导热垫片的制备方法，包括以下步骤：

按重量份，提供1600～1650份的导热填料，所述导热填料包括粒径范围为1～3μm的第一氧化铝颗粒、粒径范围为4～6μm的第二氧化铝颗粒、及粒径范围为60～80μm的第三氧化铝颗粒；

提供5～8份的硅烷偶联剂，混合所述硅烷偶联剂和导热填料，所述硅烷偶联剂吸附于导热填料的表面，得到改性的导热填料；

提供100～110份的乙烯基硅油，混合所述乙烯基硅油和改性的导热填料，所述硅烷偶联剂的亲有机基团与乙烯基硅油结合，使得改性的导热填料分散于乙烯基硅油中，得到基料；

对所述基料依次进行压延处理和成型固化处理，得到导热垫片。

优选地，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒的质量比范围为：5～7：3～4：1。

优选地，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒具有球形结构、类球形结构或不规则结构。

优选地，所述乙烯基硅油中乙烯基含量为0.5～1％。

优选地，所述硅烷偶联剂为十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲基硅烷、γ-胺丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、氨基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、或丁二烯基三乙氧基硅烷。

优选地，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：

提供5～8份铂金催化剂和0.001～0.005份延迟剂，混合所述基料、铂金催化剂及延迟剂。

优选地，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：

对所述基料进行抽真空处理，所述抽真空处理的时间为15～30分钟。

优选地，所述固化处理为：于130～150℃的温度下对所述基料进行固化处理，该固化处理的时间为10～120分钟。

本发明还提供一种由上述导热垫片的制备方法所制得的导热垫片。