[发明专利]一种近结微流嵌入式高效散热氮化镓晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种近结微流嵌入式散热氮化镓晶体管的制造方法，晶体管自上而下依次包括有源区功能层、势垒层(4)、缓冲层(5)和衬底层(6)，有源区功能层由栅(1)、源(2)和漏(3)构成，所述衬底层(6)中设置有微流体通道(7)，所述微流体通道(7)设置在有源区下面的近结区，所述近结区为有源区下方覆盖的区域，尺寸小于100微米；所述微流体通道距离缓冲层(5)5-30微米，距离衬底背面5-15微米，微流体通道中心与有源区功能层的栅(1)在垂直方向位置对应，微流体通道左右宽度依据栅栅间距确定，取栅栅间距的三分之一到三分之二；所述微流体通道的宽度为10um-100um，其特征在于，制造方法包括氮化镓晶体管的制备和近结区微流体通道的制备，微流体通道的制备包括以下步骤：

1)在已完成的氮化镓晶体管的正面涂一层保护层，对功能区进行保护，并采用键合技术进行将晶体管正面和临时载片进行键合；

2)利用磨片机将氮化镓晶体管的衬底进行研磨减薄，减薄后剩余衬底厚度在80-200微米；

3)在氮化镓晶体管的衬底上光刻出微流体通道的刻蚀图形，衬底上的此图形位于晶体管有源区的正下方近结区域，利用等离子体刻蚀机对衬底进行近结区微流道刻蚀，直至距离氮化镓层5～30微米停止，完成近结区微流道的刻蚀；

4)在新的衬底片的一面涂一层保护层，对该衬底面进行保护，并采用键合技术进行将晶体管正面和临时载片进行键合；

5)利用磨片机将新衬底片进行研磨减薄，减薄后剩余衬底厚度在5-15微米；

6)在减薄后新衬底的减薄面旋涂一层BCB，将嵌入微流体通道的氮化镓晶体管的衬底与新衬底的减薄面相对在温度为200-250摄氏度的条件下键合，完成近结区微流道的密封；

7)将两组临时键合载片除去，完成近结微流嵌入式散热氮化镓晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述近结微流嵌入式散热氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，步骤1中保护层为氧化物、氮化物或BCB。

3.根据权利要求1所述近结微流嵌入式散热氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，步骤4中保护层为氧化物、氮化物或BCB。