[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法有效
申请号: | 201711414838.5 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108155198B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;翁良志;刘健群;丘立安;黃乾燿;戴体贤 | 申请(专利权)人: | 成都先锋材料有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 郭新娟 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 影像 传感 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔,所述盲孔穿过所述第一绝缘层且孔底位于所述晶圆,所述第一绝缘层背离所述晶圆的表面具有微凸镜;将第二绝缘层形成于所述盲孔的孔壁,然后在具有所述第二绝缘层的所述盲孔内填充导电材料,将所述结合层内与所述微凸镜和IC信号连接的导线引至所述第一绝缘层的表面并与所述导电材料电性连接;所述导线与所述盲孔内的所述导电材料直接接触而形成电路导通;
将透明基材固定于所述第一绝缘层具有所述微凸镜的表面且直接接触,将挡片晶片形成于所述透明基材的表面,然后对所述晶圆进行磨薄以使得所述盲孔内的所述导电材料露出;
所述微凸镜与所述盲孔所在的区域分别为第一安装区和第二安装区,所述第一安装区与所述第二安装区互不重叠,所述透明基材仅设置在所述第一安装区。
2.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,磨薄前的所述晶圆厚度为700~1000μm,磨薄后的所述晶圆厚度为20~100μm。
3.根据权利要求2所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,磨薄后的所述晶圆厚度为40~70μm。
4.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,所述导电材料包括铜。
5.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,所述透明基材利用透光粘合胶固定于所述第一绝缘层的表面。
6.根据权利要求1或5所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,所述透明基材的材质包括蓝宝石、石英玻璃或氧化镁。
7.根据权利要求1所述的COMS影像传感封装结构的制作方法,其特征在于,对所述晶圆进行磨薄后,还包括将第三绝缘层形成于磨薄后的所述晶圆表面并使得所述导电材料露出,然后将金属凸块形成于所述第三绝缘层并与所述导电材料电连接。
8.一种COMS影像传感封装结构,其特征在于,其由权利要求1-7任一项所述的COMS影像传感封装结构的制作方法制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的