[发明专利]基于GaN材料的多色横向结构LED芯片及LED灯

权利要求书

1.一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，其特征在于，包括：

衬底(11)；

蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；

蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；

红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；

绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括：

第一SiO₂隔离壁(12)，设置于所述蓝光材料与所述红光材料之间，用于隔离所述蓝光材料与所述红光材料；

第二SiO₂隔离壁(22)，设置于所述红光材料与所述绿光材料之间，用于隔离所述红光材料与所述绿光材料。

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，还包括第三SiO₂隔离壁(42)，用于将所述蓝光材料分隔成第一蓝光子材料和第二蓝光子材料、将所述红光材料分隔成第一红光子材料和第二红光子材料以及将所述绿光材料分隔成第一绿光子材料和第二绿光子材料，其中，

所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的一侧，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的另一侧。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，

所述蓝光正电极包括第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极，所述蓝光负电极包括第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极，均设置于所述第一蓝光子材料或第二蓝光子材料的特定位置处；

所述红光正电极包括第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极，所述红光负电极包括第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极，均设置于所述第一红光子材料或第二红光子材料的特定位置处；

所述绿光正电极包括第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极，所述绿光负电极包括第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极，均设置于所述第一绿光子材料或第二绿光子材料的特定位置处。

5.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述蓝光材料依次包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)及第一p型GaN层(106)，相应地，所述第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极均设置在所述第一p型GaN层(106)上，第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极均设置在所述第一GaN稳定层(102)上。

6.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述红光材料依次包括第二GaN缓冲层(401)、GaAs缓冲层(402)、GaAs稳定层(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)及p型GaAs接触层(406)，相应地，所述第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极均设置在所述p型GaAs接触层(406)上，第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极均设置在所述GaAs缓冲层(402)上。

7.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述绿光材料依次包括第三GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)、第二p型AlGaN阻挡层(205)及第二p型GaN层(206)，相应地，所述第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极均设置在所述第二p型GaN层(206)上，第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极均设置在所述第二GaN稳定层(202)上。

8.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述衬底(11)的材质为蓝宝石。

9.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括钝化层，设置于所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料的表面。

10.一种LED灯，包括LED支架，其特征在于，还包括如权利要求1～9任一项所述的LED芯片，所述LED芯片装载于所述LED支架上。