[发明专利]基于GaN材料的多色横向结构LED芯片及LED灯

说明书

本发明提供一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，包括：衬底(11)；蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。本发明的有益效果有：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片及LED灯。

背景技术

LED光源在照明领域受到越来越普遍地应用。通常LED光源通过LED发光芯片配合荧光粉发出各种颜色的光。现有技术中，单独的发光芯片只能发出单色的光，若需合成其他颜色的光就需要将不同颜色的发光芯片混合在一起，并填充大量的荧光粉，这样就存在可靠性差、封装难度大的问题。此外，光线入射到荧光粉胶层中会出现强烈的散射现象，使得荧光粉胶层对光线的吸收作用，导致大量光线被反射，即透射过荧光粉层的光线会显著减少。因此，如何设计出一种新型的LED芯片就变得极其重要。

发明内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出了一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，包括：

衬底(11)；

蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；

蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；

红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；

绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。

在本发明的一种实施方式中，该芯片还包括：

第一SiO₂隔离壁(12)，设置于所述蓝光材料与所述红光材料之间，用于隔离所述蓝光材料与所述红光材料；

第二SiO₂隔离壁(22)，设置于所述红光材料与所述绿光材料之间，用于隔离所述红光材料与所述绿光材料。

在本发明的一种实施方式中，该芯片还包括第三SiO₂隔离壁(42)，用于将所述蓝光材料分隔成第一蓝光子材料和第二蓝光子材料、将所述红光材料分隔成第一红光子材料和第二红光子材料以及将所述绿光材料分隔成第一绿光子材料和第二绿光子材料，其中，

所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的一侧，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的另一侧。

在本发明的一种实施方式中，该芯片的所述蓝光正电极包括第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极，所述蓝光负电极包括第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极，均设置于所述第一蓝光子材料或第二蓝光子材料的特定位置处；

所述红光正电极包括第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极，所述红光负电极包括第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极，均设置于所述第一红光子材料或第二红光子材料的特定位置处；

所述绿光正电极包括第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极，所述绿光负电极包括第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极，均设置于所述第一绿光子材料或第二绿光子材料的特定位置处。