[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

基板；

接地电极，设置在所述基板的上表面上；

至少一个电子组件，设置在所述基板的所述上表面上；

密封构件，密封所述电子组件；以及

屏蔽构件，围住所述电子组件并设置在所述密封构件中。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封构件包括设置在所述屏蔽构件内部的内密封构件和设置在所述屏蔽构件外部的外密封构件。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述接地电极的一部分暴露到所述内密封构件外部，并且所述接地电极连接到所述屏蔽构件。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽构件与所述电子组件和所述接地电极面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述屏蔽构件外部的至少一个电子组件。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述电子组件使用倒装芯片键合法安装在所述基板上，并且

其中，所述屏蔽构件的一部分设置在所述电子组件的无效表面上。

7.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在设置于基板上的接地电极上设置电子组件；

使用内密封构件部分地填埋所述电子组件；

使用屏蔽构件围住所述电子组件和所述内密封构件；以及

使用外密封构件填埋所述屏蔽构件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用溅射法或气相沉积法设置所述屏蔽构件。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述内密封构件的步骤包括：

使用密封构件完全填埋所述电子组件和所述接地电极；以及

部分地去除所述密封构件，以使所述电子组件和所述接地电极暴露。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述密封构件的步骤包括通过打磨所述密封构件使所述电子组件的无效表面暴露。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述密封构件的步骤包括使用激光钻孔法或蚀刻法使所述接地电极暴露。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，沿着所述内密封构件、所述电子组件的表面以及暴露到所述内密封构件外部的所述接地电极来设置所述屏蔽构件。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，安装所述电子组件的步骤包括使用倒装芯片键合法使具有裸片形式的所述电子组件结合到所述基板。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体封装件包括彼此相邻设置并共享同一基板的多个半导体封装件。

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括切割共享的所述同一基板，以形成单个的半导体封装件。