[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711416853.3 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108630629A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 尹盛载;千成钟 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 马金霞;马翠平
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体封装件 电子组件 密封构件 上表面 基板 接地电极 屏蔽构件 密封 制造 围住
【说明书】:

本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:接地电极,形成在基板的上表面上;第一电子组件,设置在所述基板的所述上表面上;密封构件,密封所述电子组件;以及屏蔽构件,围住所述第一电子组件并设置在所述密封构件中。

本申请要求于2017年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0036739号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种半导体封装件及其制造方法。

背景技术

为了实现电磁干扰(EMI)或电磁敏感性(EMS)特性,能够耐受高频信号的诸如通信模块或网络模块的小型高频半导体封装件通常具有各种电磁屏蔽结构。

在通常的高频半导体封装件中,单个装置安装在基板上,然后通过树脂被包封以保护密封构件中的单个装置。通常,用于在密封构件的外表面上形成屏蔽构件的结构被用作用于高频屏蔽的结构。

这种传统的屏蔽构件通常电连接到基板的接地图案。由于基板的接地图案和屏蔽构件的连接部通过非常精细的图案形成,因此连接部可能会容易由于冲击等被损坏。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思,以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面,一种半导体封装件包括:接地电极,形成在基板的上表面上;第一电子组件,设置在所述基板的所述上表面上;密封构件,密封所述电子组件;以及屏蔽构件,围住所述第一电子组件并设置在所述密封构件中。

所述密封构件可包括设置在所述屏蔽构件内部的内密封构件和设置在所述屏蔽构件外部的外密封构件。

所述接地电极的一部分可暴露到所述内密封构件外部,并且所述接地电极可连接到所述屏蔽构件。

所述屏蔽构件可与所述电子组件和所述接地电极面接触。

第二电子组件可设置在所述屏蔽构件外部。

所述第一电子组件可使用倒装芯片键合法安装在所述基板上。所述屏蔽构件的一部分可设置在所述第一电子装置的无效表面上。

在一个总体方面,一种制造半导体封装件的方法包括:在设置于基板上的接地电极上设置电子组件;使用内密封构件部分地填埋所述电子组件;使用屏蔽构件围住所述电子组件和所述内密封构件;以及使用外密封构件填埋所述屏蔽构件。

可使用溅射法或气相沉积法设置所述屏蔽构件。

形成所述内密封构件的步骤可包括:使用密封构件完全填埋所述电子组件和所述接地电极;以及部分地去除所述密封构件,以使所述电子组件和所述接地电极暴露。

去除所述密封构件的步骤可包括通过打磨所述密封构件使所述电子组件的无效表面暴露。

去除所述密封构件的步骤可包括使用激光钻孔法或蚀刻法使所述接地电极暴露。

可沿着所述内密封构件、所述电子组件的表面以及暴露到所述内密封构件外部的所述接地电极来设置所述屏蔽构件。

安装所述电子组件的步骤可包括使用倒装芯片键合法使具有裸片形式的所述电子组件结合到所述基板。

所述半导体封装件可包括彼此相邻设置并共享同一基板的多个半导体封装件。

所述方法还可包括切割共享的所述同一基板,以形成单个的半导体封装件。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求,其他特征和方面将显而易见。

附图说明

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