[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

支撑晶片的静电卡盘；

设置为围绕所述晶片的外周表面的调节环；

设置为围绕所述调节环的外周表面的绝缘环；

支撑所述调节环的下部分和所述绝缘环的下部分的边缘环，所述边缘环与所述静电卡盘间隔开并且围绕所述静电卡盘的外周表面；

第一垫，插置在所述调节环和所述边缘环之间并且将所述边缘环的冷却效应传递到所述调节环；以及

第二垫，插置在所述绝缘环和所述边缘环之间，将所述边缘环的所述冷却效应传递到所述绝缘环，并且与所述第一垫间隔开；以及

其中所述边缘环包括在其中容纳流体的流道，所述流体用于所述边缘环的所述冷却效应，

其中所述调节环和所述绝缘环包含彼此不同的材料，所述第一垫和所述第二垫包含具有不同热导率的材料，并且为了所述调节环和所述绝缘环的相同的温度控制，所述第一垫的厚度与所述第二垫的厚度相同并且所述第二垫接触所述边缘环的第二面积大于所述第一垫接触所述边缘环的第一面积，或者所述第一垫的所述厚度不同于所述第二垫的所述厚度并且所述第二垫接触所述边缘环的所述第二面积与所述第一垫接触所述边缘环的所述第一面积相同。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述流道包括：

设置为竖直地交叠所述调节环与所述边缘环之间的接触表面的第一流道；以及

设置为竖直地交叠所述绝缘环与所述边缘环之间的接触表面的第二流道。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中：

所述流体包括第一流体和第二流体，所述第二流体保持在与所述第一流体被保持的温度不同的温度，

所述第一流体被容纳在所述第一流道中，以及

所述第二流体被容纳在所述第二流道中。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中：

所述流体包括冷却剂，以及

所述边缘环用所述流体冷却所述调节环和所述绝缘环。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括在所述边缘环和所述静电卡盘之间的间隙，其中所述边缘环取决于所述流道中容纳的所述流体的温度而改变所述间隙的宽度。

6.一种等离子体处理装置，包括：

被供给有等离子体的等离子体腔室；

设置在所述等离子体腔室中并支撑晶片的静电卡盘；

与所述静电卡盘间隔开的边缘环，所述边缘环围绕所述静电卡盘的外周表面并且包括在其中容纳流体的流道；

围绕所述晶片的外周表面并且设置在所述边缘环上的调节环；以及

用于控制在所述边缘环的所述流道中容纳的所述流体的供给的流体控制器，

其中：

所述边缘环和所述静电卡盘形成电容器，并且

所述流体控制器控制在所述边缘环中容纳的所述流体的量和温度。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，还包括在所述边缘环和所述静电卡盘之间的间隙。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中：

所述流体控制器供给所述流体以使所述边缘环膨胀，所述流体具有超过参考温度的温度，以及

所述间隙的宽度通过所述边缘环的膨胀而减小。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其中所述电容器的电容通过所述边缘环的所述膨胀而增大。

10.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中所述流体控制器通过调节在所述边缘环中容纳的所述流体的量而控制所述电容器的所述电容。

11.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中：

所述静电卡盘与由等离子体形成的等离子体壳层一起形成电容路径，以及

所述电容路径包括由所述边缘环和所述静电卡盘形成的所述电容器。