[发明专利]等离子体处理装置

说明书

一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

技术领域

实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

用于通过使用等离子体促进期望的化学反应(沉积、蚀刻等等)的系统已经被用于诸如半导体LCD和LED的产业中。

使用等离子体的系统可以包括在其中执行工艺的腔室、产生等离子体的源、保持腔室内的高真空的泵和压力控制器、以及在支撑和固定待被处理的物体的同时调整待被处理的物体的温度和等离子体能量的支撑环、静电卡盘(ESC)、和电极。调节环(focus ring)和围绕调节环的外周表面的绝缘环可以设置在待被处理的物体(例如半导体晶片)的边缘的外围。

发明内容

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：被供给有等离子体的等离子体腔室；设置在等离子体腔室中并支撑晶片的静电卡盘；与静电卡盘间隔开的边缘环，边缘环围绕静电卡盘的外周表面并且包括在其中容纳流体的流道；围绕晶片的外周表面并且设置在边缘环上的调节环；以及用于控制在边缘环的流道中容纳的流体的供给的流体控制器，其中边缘环和静电卡盘形成电容器，并且流体控制器控制在边缘环中容纳的流体的量和温度。

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：晶片可支撑在其上的静电卡盘；调节环，围绕在该处晶片将被支撑的位置的外周表面；围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环和绝缘环的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括流体可流动通过的流道。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域的普通技术人员来说将明显，在图中：

图1示出根据本公开的一实施方式的等离子体处理装置的剖视图；

图2示出图1的A的放大剖视图；

图3示出示意图，显示了根据本公开的一实施方式的等离子体处理装置中包括的边缘环的操作；

图4示出示意图，显示了根据本公开的另一实施方式的等离子体处理装置中包括的边缘环的操作；

图5示出示意图，显示了由根据本公开的一实施方式的等离子体处理装置组成的电路；

图6示出电路图，显示了由根据图5的等离子体处理装置组成的电路；

图7示出示意图，显示了由于由根据本公开的一些实施方式的等离子体处理装置组成的电路的调节环(focus ring)的蚀刻而引起的状态改变；

图8示出示意图，显示了根据本公开的一实施方式的等离子体处理装置的操作；

图9示出示意图，显示了根据本公开的另一实施方式的等离子体处理装置的操作；

图10示出示意图，显示了在根据本公开的一些实施方式的等离子体处理装置中包括的边缘环中提供的流道；以及

图11示出示意图，显示了根据本公开的再一个实施方式的等离子体处理装置的操作。

具体实施方式

在下文，根据本公开的一实施方式的等离子体处理装置将参考图1至11被描述。