[发明专利]一种陶瓷上色方法以及电子产品陶瓷件在审
| 申请号： | 201711418698.9 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108166038A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 何杰;戴磊 | 申请（专利权）人： | 沭阳瑞泰科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/14 | 分类号： | C25D11/14;C25D11/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上色 含铝金属膜 陶瓷件 电子产品 陶瓷基材 陶瓷 阳极氧化 陶瓷基材表面 表面镀 镀膜 | ||
1.一种陶瓷上色方法，其特征在于，所述陶瓷上色方法的步骤包括：
提供陶瓷基材；
镀膜，在所述陶瓷基材的表面镀含铝金属膜；
上色，对所述含铝金属膜进行阳极氧化上色。
2.根据权利要求1所述的陶瓷上色方法，其特征在于，所述含铝金属膜的材质为铝或铝合金。
3.根据权利要求1所述的陶瓷上色方法，其特征在于，利用磁控溅射物理气相沉积的方式进行镀膜。
4.根据权利要求1所述的陶瓷上色方法，其特征在于，在镀膜步骤之前，还包括：对提供的陶瓷基材进行除油、中和、水洗的预处理步骤，在150-220℃的温度中对预处理后的陶瓷基材进行烘烤的步骤，在5×10-3Pa以上的真空状态中对烘烤后的陶瓷基材进行离子清洗的步骤。
5.根据权利要求4所述的陶瓷上色方法，其特征在于，离子清洗步骤完成后，在5×10-4Torr以上的真空状态中进行镀膜，镀膜温度230-250℃。
6.根据权利要求4所述的陶瓷上色方法，其特征在于，离子清洗步骤的真空状态为2×10-1-6×10-1Pa。
7.根据权利要求5所述的陶瓷上色方法，其特征在于，镀膜步骤的真空状态为10-3-10-2Torr。
8.根据权利要求1至7任一项所述的陶瓷上色方法，其特征在于，所述含铝金属膜的厚度为30-40微米。
9.根据权利要求1所述的陶瓷上色方法，其特征在于，在上色步骤之后，还包括：在经过阳极氧化上色的含铝金属膜表面形成防指纹镀膜层。
10.一种电子产品陶瓷件，其特征在于，包括：陶瓷基材，和一含铝金属膜，所述含铝金属膜镀在陶瓷基材表面，所述含铝金属膜经由阳极氧化上色。
11.根据权利要求10所述的电子产品陶瓷件，其特征在于，所述含铝金属膜的厚度为30-40微米。
12.根据权利要求10所述的电子产品陶瓷件，其特征在于，所述陶瓷基材的材质为钇稳定氧化锆。
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