[发明专利]气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法

权利要求书

1.一种气相沉积炉，包括炉体，其特征在于，还包括炉体内设置的：

加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；

沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构包括可转动的滚筒，升华的产物沉积到滚筒外表面，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；

刮取机构，用于刮取滚筒外表面的沉积产物；

接收机构，用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物。

2.根据权利要求1所述的气相沉积炉，其特征在于，刮取机构包括刮片，刮片的刮取端与滚筒的外表面相切，刮片设置在滚筒转动的线速度方向上。

3.根据权利要求1所述的气相沉积炉，其特征在于，沉积机构包括两个滚筒，两个滚筒的外表面相切，两个滚筒的转轴在同一水平面上。

4.根据权利要求3所述的气相沉积炉，其特征在于，两个滚筒做方向相反的转动，每个滚筒的上表面的线速度朝向各自对着的沉积腔室的内壁。

5.根据权利要求3所述的气相沉积炉，其特征在于，滚筒的正投影视图的边界区域与接收机构的用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物的开口的正投影视图有交集。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的气相沉积炉，其特征在于，滚筒具有中空的滚筒腔体，用于通入冷源冷却滚筒表面。

7.根据权利要求6所述的气相沉积炉，其特征在于，还包括驱动机构，滚筒通过转轴与驱动机构连接，驱动机构用于驱动滚筒转动，转轴内设置有冷源通道，冷源通道与滚筒腔体连通，冷源通过冷源通道进入到滚筒腔体内对滚筒进行冷却。

8.根据权利要求1～5任意一项所述的气相沉积炉，其特征在于，沉积腔室设置于加热腔室上方，沉积腔室与加热腔室通过连通通道连通。

9.根据权利要求8所述的气相沉积炉，其特征在于，滚筒的下表面朝向通向沉积腔室的连通通道的开口。

10.根据权利要求9所述的气相沉积炉，其特征在于，通向沉积腔室的连通通道的开口的正投影视图在滚筒的正投影视图内。

11.根据权利要求8所述的气相沉积炉，其特征在于，连通通道包括：朝向沉积腔室的第一开口、朝向加热腔室的第二开口，第一开口的开口面积小于第二开口的开口面积。

12.根据权利要求11所述的气相沉积炉，其特征在于，接收机构为接收盘，连通通道穿过接收盘的底部。

13.根据权利要求1～5任意一项所述的气相沉积炉，其特征在于，接收机构为夹层结构，夹层结构内的空隙用于通入冷源冷却接收机构。

14.一种使用权利要求1～13任意一项所述的气相沉积炉生产氧化亚硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将含硅和/或碳的材料、与含二氧化硅的材料放入到加热腔室中，通过沉积腔室开口抽真空；

(2)通过加热腔室加热原料，反应生成氧化亚硅并升，氧化亚硅沉积于转动的滚筒上，刮取机构刮取滚筒外表面的沉积产物，接收机构接收刮取机构刮取下来的沉积产物。

15.根据权利要求14所述的生产氧化亚硅的方法，其特征在于，所述步骤(1)中抽真空至100～500Pa。

16.根据权利要求14所述的生产氧化亚硅的方法，其特征在于，所述步骤(2)中加热温度为1250～1600℃，达到加热温度后的维持时间为2～10h。

17.根据权利要求14所述的生产氧化亚硅的方法，其特征在于，所述含硅和/或碳的材料、与含二氧化硅的材料的摩尔比为(1～3):1。