[发明专利]气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法

说明书

本发明公开了一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法，包括炉体，其特征在于，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构包括可转动的滚筒，升华的产物沉积到滚筒外表面，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；刮取机构，用于刮取滚筒外表面的沉积产物；接收机构，用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物。本发明的滚筒可转动，从而使得沉积机构上沉积的产物均匀分布，相对于现有技术中的平面的沉积机构，本发明中的滚筒的侧面积大，从而大大增加了单位体积的滚筒上的沉积面积。

技术领域

本发明属于氧化亚硅技术领域，具体涉及一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法。

背景技术

近年来锂二次电池具有较镍镉电池或镍氢电池更高的能量密度，且每单位重量的能量密度更高。锂离子电池由于具有高电压、高能量密度和长循环寿命的优势，成为应用最广的电池之一。随着互联网时代的到来，智能手机、智能设备以及电动汽车等设备逐步普及使用，对于锂电池的能量密度提出来越来越高的要求

为了满足这一日益提高的要求，达到更高的充放电容量，更高效的氧化亚硅(SiO_x，其中，0＜x＜2)作为负极材料的活性物质备受关注。用于生产SiO_x的设备设计缺陷和控制不平稳，导致氧化亚硅形态分布较宽，质量均一性较差，也难以满足市场需求。因此，现有技术无法很好地实现工业化生产，需要进一步优化技术。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法，本发明中的气相沉积炉中的沉积机构的滚筒可转动，本发明中的圆筒状的滚筒的侧面积大，从而大大增加了单位体积的滚筒上的沉积面积，提高了沉积效率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种气相沉积炉，包括炉体，还包括炉体内设置的：

加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；

沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构包括可转动的滚筒，升华的产物沉积到滚筒外表面，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；

刮取机构，用于刮取滚筒外表面的沉积产物；

接收机构，用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物。

优选的是，刮取机构包括刮片，刮片的刮取端与滚筒的外表面相切，刮片设置在滚筒转动的线速度方向上。

优选的是，沉积机构包括两个滚筒，两个滚筒的外表面相切，两个滚筒的转轴在同一水平面上。

优选的是，两个滚筒做方向相反的转动，每个滚筒的上表面的线速度朝向各自对着的沉积腔室的内壁。更优选的是，两个滚筒转动的角速度大小相同。

优选的是，滚筒的正投影视图的边界区域与接收机构的用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物的开口的正投影视图有交集。

优选的是，滚筒具有中空的滚筒腔体，用于通入冷源冷却滚筒表面。

优选的是，所述的气相沉积炉还包括驱动机构，滚筒通过转轴与驱动机构连接，驱动机构用于驱动滚筒转动，转轴内设置有冷源通道，冷源通道与滚筒腔体连通，冷源通过冷源通道进入到滚筒腔体内对滚筒进行冷却。

优选的是，沉积腔室设置于加热腔室上方，沉积腔室与加热腔室通过连通通道连通。

优选的是，滚筒的下表面朝向通向沉积腔室的连通通道的开口。

优选的是，通向沉积腔室的连通通道的开口的正投影视图在滚筒的正投影视图内。