[发明专利]一种封装光伏电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种封装光伏电池组件，其特征在于，所述组件从上到下依次包括覆盖层、透明导电膜层、粘合剂上层、光伏电池、粘合剂下层和衬底层；所述粘合剂上层为改进乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜层，该改进乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜的制备方法为：按质量份计，将30-70份的氧化铝与1-2份的偶联剂充分混匀，80℃干燥、研磨分散，加入到已混合均匀的1-2份的固化剂和100份的EVA粒料的混合物中；再加入4-8份的峨参乙醚，并混合均匀；将混合物倒入挤出机进行共混挤出，温度控制在100℃，在挤出物经流延、冷却、牵引、卷取工序，即得。

2.根据权利要求1所述的封装光伏电池组件，其特征在于，所述覆盖层及衬底层均由透明钢化玻璃制成；所述粘合剂下层为乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜层。

3.根据权利要求1所述的封装光伏电池组件，其特征在于，所述偶联剂为NXT-105、NXT-101、ZQ-172或G-570。

4.根据权利要求1所述的封装光伏电池组件，其特征在于，所述固化剂为邻邻-叔丁基-邻-(2-乙基己基)单过氧化碳酸酯、2,5-二甲基己烷-2,5-二叔丁基过氧化物或2,5-二甲基-2,5-双(苯甲酰过氧)-己烷。

5.根据权利要求1所述的封装光伏电池组件，其特征在于，所述EVA粒料中VA的质量百分含量为35-45%。

6.根据权利要求1所述的封装光伏电池组件，其特征在于，所述光伏电池自下而上依次包括硅片基体、金属栅线、P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型非晶硅层；所述本征非晶硅层为非晶硅及Sr₁₄MgSb₁₁的混合物，两者质量比为99:1；所述金属栅线经导电胶体连接到导电膜层。

7.根据权利要求1所述封装光伏电池组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体步骤为：1）在硅片基体正面打印金属栅线后，用化学气相沉积法或/和溅射法依次涂敷P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型非晶硅层；2）制备改进乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜，用层压机压到N型非晶硅层上，热固化后形成粘合剂上层；3）在粘合剂上层涂敷透明导电膜层，并加设覆盖层；导电膜层通过导电胶体连接到金属栅线；4）金属栅线经乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜层压及热固化粘合到衬底，并形成粘合剂下层和衬底层。

8.一种如权利要求1所述的改进乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜，其特征在于，制备方法为：按质量份计，将30-70份的氧化铝与1-2份的偶联剂充分混匀，80℃干燥、研磨分散，加入到已混合均匀的1-2份的固化剂和100份的EVA粒料的混合物中；再加入4-8份的峨参乙醚，并混合均匀；将混合物倒入挤出机进行共混挤出，温度控制在100℃，在挤出物经流延、冷却、牵引、卷取工序，即得。