[发明专利]比特标记方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置

说明书

本发明提出一种比特标记方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：根据第一读取电压读取第一存储单元以产生第一码字并判断第一码字是否为有效码字，其中第一码字包括X个比特且X为正整数；若第一码字非为有效码字时，根据第二读取电压读取所述第一存储单元以产生第二码字并判断第二码字是否为有效码字，其中第二码字包括X个比特；以及若第二码字非为有效码字且第一码字的X个比特中的第Y个比特不同于第二码字的X个比特中的第Y个比特时，记录所述X个比特中的第Y个比特为不可靠比特，其中Y为小于或等于X的正整数。

技术领域

本发明涉及一种比特标记方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说，在从可复写式非易失性存储器模块中读取数据时，存储器管理电路可以先执行硬比特模式解码操作来取进行解码以取得所欲读取的数据。然而，当执行硬比特模式解码操作但发生解码失败时，存储器管理电路会执行软比特模式解码操作以取得所欲读取的数据。由于硬比特模式解码操作与软比特模式解码操作两者在操作上是相互独立，若硬比特模式解码操作与软比特模式解码操作两者接连着执行时，由于软比特模式解码操作不会参考硬比特模式解码操作执行时所得到的相关信息，因此可能会造成可复写式非易失性存储器模块存取效率的低落。

发明内容

本发明提供一种比特标记方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置，可以在硬比特模式解码操作中得知一码字中可靠度较低的比特的位置，并取得用于软比特模式解码操作的相关信息(例如，解码初始值)，之后可以将此相关信息使用在软比特模式解码操作中，藉此提高可复写式非易失性存储器模块的存取效率。

本发明提供一种比特标记方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，所述比特标记方法包括：根据多个读取电压中的第一读取电压读取所述多个存储单元中的多个第一存储单元并执行第一解码操作以产生第一码字以及第一校验信息，并且根据所述第一校验信息判断所述第一码字是否为有效码字，其中所述第一码字包括X个比特且X为正整数；若所述第一码字非为所述有效码字时，根据所述多个读取电压中的第二读取电压读取所述多个第一存储单元并执行所述第一解码操作以产生第二码字以及第二校验信息，并且根据所述第二校验信息判断所述第二码字是否为所述有效码字，其中所述第二码字包括X个比特；以及若所述第二码字非为所述有效码字且所述第一码字的X个比特中的第Y个比特不同于所述第二码字的X个比特中的第Y个比特时，记录所述X个比特中的第Y个比特为第一不可靠比特，其中Y为小于或等于X的正整数。

在本发明的一实施例中，所述可复写式非易失性存储器模块没有记录所述多个读取电压与所述多个存储单元的存储状态之间的对应关系。

在本发明的一实施例中，所述方法还包括：根据所述多个读取电压中的第三读取电压读取所述多个第一存储单元并执行所述第一解码操作以产生第三码字以及第三校验信息，并且根据所述第三校验信息判断所述第三码字是否为所述有效码字，其中所述第三码字包括X个比特；以及若所述第三码字非为所述有效码字且所述第二码字的X个比特中的第Z个比特不同于所述第三码字的X个比特中的第Z个比特时，记录所述X个比特中的第Z个比特为第二不可靠比特，其中Z为小于或等于X的正整数，所述第一校验信息的总和小于所述第二校验信息的总和且所述第二校验信息的总和小于所述第三校验信息的总和。

在本发明的一实施例中，所述第一不可靠比特的可靠度小于所述第二不可靠比特的可靠度。