[发明专利]半导体器件和功率转换器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一主电极；

第二主电极；

多个控制电极部分，每个控制电极部分根据控制信号控制在所述第一主电极和所述第二主电极之间流动的电流；和

控制端子，所述控制端子从外部接收所述控制信号，

其中所述控制电极部分的电容值和所述控制信号的传输路径的电阻值的乘积关于每个控制电极部分而变化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中来自所述控制端子的所述控制信号的所述传输路径的所述电阻值关于所述每个控制电极部分而变化。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述半导体器件包括作为所述控制电极部分的N个(N是等于或大于2的整数)控制电极部分，

其中所述半导体器件还包括N-1个电阻元件，

其中第一控制电极部分耦合到所述控制端子，而没有经由所述N-1个电阻元件中的任何一个，以及

其中第i+1个(i是等于或大于1且等于或小于N-1的整数)控制电极部分经由第i个电阻元件耦合到第i个控制电极部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一主电极设置在衬底的第一主表面上方，以及

其中所述第二主电极设置在所述衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上方。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中每个所述控制电极部分设置在所述衬底的所述第一主表面侧上方并且包括彼此电耦合的多个电极元件，

其中每个所述电极元件沿着所述第一主表面在第一方向上延伸，并且所述电极元件大致沿着所述第一主表面平行于第二方向而布置，以及

所述电极元件之间的电阻值小于所述N-1个电阻元件中的任何一个的电阻值。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中每个所述电极元件是沟槽栅极电极。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中第i个(i是等于或大于1且等于或小于N-1的整数)电阻元件耦合在被包括在第i个控制电极部分中的电极元件中沿所述第二方向排列顺序中的最后一个电极元件与被包括在第i+1个控制电极部分的电极元件中沿所述第二方向排列顺序中的第一个电极元件之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是基于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极晶体管)配置的。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一主电极，设置在所述衬底的第一主表面上方；

第二主电极，设置在所述衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上方；

多个控制电极部分，每个控制电极部分根据控制信号控制在所述第一主电极和所述第二主电极之间流动的电流；和

控制端子，所述控制端子从外部接收所述控制信号，

其中所述控制电极部分的电容值和所述控制信号的传输路径的电阻值的乘积关于每个控制电极部分而变化。

10.一种功率转换器，使用根据权利要求1所述的半导体器件作为开关元件。