[发明专利]半导体器件和功率转换器在审
| 申请号： | 201711424028.8 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108242804A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 小嶋勇介;横井芳彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 功率转换器 控制电极 主电极 公共控制端子 栅极驱动电路 并联耦合 传输路径 开关延迟 控制信号 浪涌电压 晶体管 电阻 关断 流动 配置 申请 | ||
本申请涉及半导体器件和功率转换器。旨在提供一种半导体器件，其能够防止关断时的浪涌电压，而不会使栅极驱动电路复杂化且不会使开关延迟增大。半导体器件具有以下配置，其中通过包括用于控制在第一主电极与第二主电极之间流动的电流的多个控制电极，将多个晶体管等效地并联耦合。来自公共控制端子的控制信号的传输路径的电阻值关于每个控制电极而变化。
这里通过参考并入2016年12月27日提交的日本专利申请No.2016-253709的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。
技术领域
例如，本发明涉及一种优选地用作用于功率转换器的开关元件的半导体器件。
背景技术
在用于功率转换器、双向开关等的半导体开关元件中，重要的是抑制关断期间的浪涌电压而不增加开关延迟。
例如，日本未审查专利申请公开No.HEI10(1998)-075164公开了其中栅极驱动电路加倍的半导体开关器件的配置。至于关断，第一栅极驱动电路从关断开始时操作，而第二栅极驱动电路在预定时间后操作。
作为另一实施例，上述日本未审查专利申请公开No.HEI10(1998)-075164还公开了一种配置，其中将专用于关断开始时的电路附加地提供给栅极驱动电路。专用于关断开始时的电路包括开关电路的公共端子和地电平之间的放电路径。
发明内容
在上述日本未审查专利申请公开No.HEI10(1998)-075164中公开的配置中存在的问题是，因为针对关断设置了两个电路，所以栅极驱动电路的配置变得复杂。其他问题和新颖特征将从本申请和附图的描述中变得显而易见。
在根据一个实施例的半导体器件中，用于控制流过第一主电极和第二主电极的主电流的控制电极被划分成多个部分。来自公共控制端子的控制信号的传输路径的电阻值不同于经划分的控制电极中的每一个。
根据上述实施例，可以提供一种能够控制在关断时的浪涌电压而不使栅极驱动电路复杂化并且不增加开关延迟的半导体器件。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的半导体器件的配置的等效电路；
图2是图1所示的变形例的等效电路；
图3是示出图1所示的半导体器件的操作的时序图；
图4是示出与图1所示的等效电路对应的半导体器件的结构示例的平面图；
图5是沿着图4所示的剖面线V-V的横截面图；
图6是沿着图4所示的剖面线VI-VI的横截面图；
图7是示出制造图4至图6所示的半导体器件的方法的示例的流程图；
图8是示出根据第二实施例的半导体器件的配置的等效电路；
图9是示出与图8所示的等效电路对应的半导体器件的结构示例的平面图；
图10是沿着图9所示的剖面线X-X的横截面图；
图11是沿着图9所示的剖面线XI-XI的横截面图；
图12是示出在可再充电电池组中使用的双向开关的示例的电路图；以及
图13是示出逆变器器件的配置的电路图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施例。应该注意的是，相同或相应的部件用相同的数字表示，并且不重复其解释。
第一实施例
[半导体器件的一般配置]
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