[发明专利]薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜用于发光器件中，且设置在量子点发光层的至少一表面；所述薄膜为金属氧化物薄膜，且所述薄膜中含有接枝化合物，所述接枝化合物接枝在所述薄膜中的金属氧化物上形成接枝金属氧化物，所述接枝金属氧化物结构式为Y-X₂-R-X₁，其中，Y为金属氧化物，R为烃基或烃基衍生物，X₁为第一活性官能团，X₂为可与金属键合的基团。

2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的至少一表面的金属氧化物接枝有所述接枝化合物。

3.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的组成物质为所述接枝金属氧化物。

4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜具有凹凸表面。

5.如权利要求求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述接枝化合物的结构式为X₁-R-X₂H，X₂H为第二活性官能团，其中，所述第一活性官能团选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-SO₃H、膦基、磷酸基中的至少一种，所述第二活性官能团选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-SO₃H、膦基、磷酸基中的至少一种；和/或

所述R为碳原子数量为1-13的烃基或烃基衍生物。

6.如权利要求5所述的薄膜，其特征在于，所述第一活性官能团与第二活性官能团相同。

7.如权利要求6所述的薄膜，其特征在于，所述第一活性官能团和所述第二活性官能团均为氨基。

8.如权利要求7所述的薄膜，其特征在于，所述接枝化合物选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二甲基丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、4,9-二氧-1,12-十二烷二胺、4,7,10-三氧-1,13-十三烷二胺中的至少一种。

9.一种薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜用于发光器件中，且设置在量子点发光层的至少一表面；且所述薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物，将所述金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物溶于溶剂中，得到混合溶液，其中，所述接枝化合物为一端含有第一活性官能团X₁，另一端含有可与金属键合的基团X₂的有机物；

将所述混合溶液沉积在衬底上，加热至所述金属氧化物前驱体的热分解温度，退火处理，制备接枝X₁-R-X₂-的金属氧化物薄膜。

10.如权利要求9所述的薄膜的制备方法，其特征在于，将所述混合溶液沉积在衬底上，加热至所述金属氧化物前驱体的热分解温度的步骤中，所述加热的升温速率为20-30℃/min。

11.如权利要求9所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物的摩尔比为1:(1～3):(0.5～1)。

12.如权利要求9-11任一项所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米晶的粒径为40～60nm。

13.如权利要求9-11任一项所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自C1～C5直链醇、C1～C5支链醇、氯苯、二甲基亚砜中的至少一种。

14.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述薄膜或权利要求9-13任一项所述方法制备的薄膜。

15.如权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述薄膜为空穴传输层和/或电子传输层。