[发明专利]薄膜及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种薄膜，所述薄膜为金属氧化物薄膜，且所述薄膜中含有接枝化合物，所述接枝化合物接枝在所述薄膜中的金属氧化物上形成接枝金属氧化物，所述接枝金属氧化物结构式为Y‑X₂‑R‑X₁，其中，Y为金属氧化物，R为烃基或烃基衍生物，X₁为第一活性官能团。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

量子点电致发光一种新型的固态照明技术，具备低成本、重量轻、响应速度快、色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代发光二极管(LED)照明的重要研究方向之一。

目前所研究的量子点发光二极管(QLED)器件中，大多采用金属氧化物材料作为载流子传输层。采用金属氧化物材料制备的载流子传输层，可以有效弥补器件对氧气和水蒸气敏感、稳定性差、寿命较短等不足。基于光取出效率的考虑，现有技术倾向于将无机金属氧化物膜层制成有利于提高光取出效率的不平整表面。由于无机金属氧化物膜层表面不平整，导致与无机金属氧化物膜层结合的量子点发光层平整度较差，引入大量缺陷，从而影响器件的发光性能。。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜及其制备方法，旨在解决发光器件中，无机金属氧化物制成的薄膜表面不平整时，影响量子点发光层平整度，进而影响器件发光性能的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述薄膜的发光器件应用。

为实现上述发明目的，本发明一方面提供了一种薄膜，所述薄膜为金属氧化物薄膜，且所述薄膜中含有接枝化合物，所述接枝化合物接枝在所述薄膜中的金属氧化物上形成接枝金属氧化物，所述接枝化合物的结构式为X₁-R-X₂H，其中，Y为金属氧化物，R为烃基或烃基衍生物，X₁为第一活性官能团，X₂为可与金属键合的基团。

本发明另一方面提供了一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物，将所述金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物溶于溶剂中，得到混合溶液，其中，所述接枝化合物为一端含有第一活性官能团X₁，另一端含有可与所述金属键合的基团X₂的有机物；

将所述混合溶液沉积在衬底上，加热至所述金属氧化物前驱体的热分解温度，退火处理，制备接枝X₁-R-X₂-的金属氧化物薄膜。

本发明再一方面提供了一种发光器件，包括上述薄膜或上述方法制备的薄膜。

本发明提供的薄膜，通过有机化合物对金属氧化物进行接枝改性，如氨基化，使不平整的金属氧化物膜层表面带有大量的活性官能团如氨基，可以使发光材料特别是量子点稳定地锚定在金属氧化物膜层表面，提高成膜的平整度，从而有效降低金属氧化物膜层表面的不平整结构对后续各膜层平整度的影响，减少表面缺陷，提高器件发光性能。

本发明提供的薄膜的制备方法，将金属氧化物纳米晶、金属氧化物前驱体和接枝化合物混合沉积在衬底上，加热至所述金属氧化物前驱体的热分解温度。在加热过程中，通过加热过程，使所述接枝化合物通过活性官能团接枝在所述金属氧化物上，形成接枝金属氧化物，从而降低金属氧化物膜层表面的波纹状结构对后续各膜层平整度的影响。

本发明提供的发光器件，含有上述薄膜，可以修复金属氧化物的表面平整度，从而提高器件的发光性能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的正置结构的量子点发光二极管器件的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的反置结构的量子点发光二极管器件的结构示意图。