[发明专利]具有功能性涂层的电容器封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

一配置步骤，其包括：配置一表面处理剂，所述表面处理剂包括一硅烷偶联剂以及一溶剂，其中，所述硅烷偶联剂具有Y(CH₂)_nSiX₃的通式，其中n为0至3的整数，X为相同或是不同的取代基且是选自于由氯、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基以及乙酰氧基所组成的群组，Y为乙烯基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、硫醇基、脲基或异丁基；

一第一涂布步骤，其包括：将所述表面处理剂涂布于一电容器素子上，其中，所述表面处理剂被设置于所述电容器素子的表面上，且一部分的所述表面处理剂渗入所述电容器素子的多个孔隙中；

一第一烘干步骤，其包括：对所述表面处理剂进行烘干以形成一功能性涂层；以及

一第二涂布步骤，其包括：将一导电分散液涂布于所述功能性涂层上；以及

一第二烘干步骤，其包括：对所述导电分散液进行烘干以形成一导电高分子层，其中，所述导电高分子层中的一高分子复合材料通过所述功能性涂层中的所述硅烷偶联剂而与所述电容器素子的表面相互连接。

2.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述表面处理剂包括0.1至50重量％的所述硅烷偶联剂以及余量的所述溶剂。

3.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述表面处理剂包括0.1至10重量％的所述硅烷偶联剂以及余量的所述溶剂。

4.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第二烘干步骤后，还进一步包括一清洗步骤，以通过水或是一醇类清洗所述功能性涂层与所述导电高分子层。

5.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一涂布步骤的时间介于30秒至120分钟之间。

6.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一涂布步骤是在介于0℃至100℃之间的温度下进行。

7.根据权利要求1所述的具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一烘干步骤是在介于20℃至200℃之间的温度下进行。

8.一种具有功能性涂层的电容器封装结构，其特征在于，所述具有功能性涂层的电容器封装结构包括至少一电容器素子，所述电容器素子的表面包括一功能性涂层以及设置于所述功能性涂层上的一导电高分子层；

其中，所述导电高分子层中的一高分子复合材料通过所述功能性涂层中的一硅烷偶联剂而与所述电容器素子的表面相互连结；

其中，所述硅烷偶联剂具有Y(CH₂)_nSiX₃的通式，其中n为0至3的整数，X为相同或是不同的取代基且是选自于由氯、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基以及乙酰氧基所组成的群组，Y为乙烯基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、硫醇基、脲基或异丁基。

9.根据权利要求8所述的具有功能性涂层的电容器封装结构，其特征在于，所述高分子复合材料为一聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸复合物，且所述聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸复合物的D50平均粒径是介于1至25奈米之间。

10.一种具有功能性涂层的电容器封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

一配置步骤，其包括：配置一表面处理剂，所述表面处理剂包括一硅烷偶联剂以及一溶剂，其中，所述硅烷偶联剂具有Y(CH₂)_nSiX₃的通式，其中n为0至3的整数，X为相同或是不同的取代基且是选自于由氯、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基以及乙酰氧基所组成的群组，Y为乙烯基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、硫醇基、脲基或是异丁基；

所述配置步骤后，进行一第一涂布步骤，其包括：将所述表面处理剂涂布于一电容器素子上，其中，所述表面处理剂被设置于所述电容器素子的表面上，且一部分的所述表面处理剂渗入所述电容器素子的多个孔隙中；

所述第一涂布步骤后，进行一第一烘干步骤，其包括：对所述表面处理剂进行烘干以形成一功能性涂层；以及

所述第一烘干步骤后，进行一第二涂布步骤，其包括：将一导电分散液涂布于所述功能性涂层上；以及

所述第二涂布步骤后，进行一第二烘干步骤，其包括：对所述导电分散液进行烘干以形成一导电高分子层，其中，所述导电高分子层中的一高分子复合材料通过所述功能性涂层中的所述硅烷偶联剂而与所述电容器素子的表面相互连接。