[发明专利]锗单晶的生长方法在审
| 申请号： | 201711429251.1 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108277531A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;尹士平;胡智向;刘运连 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拉速 生长 控制晶体 锗单晶 等径生长 降温过程 放肩 引晶 收尾 结晶性能 手动控制 原料熔化 真空氛围 逐步增加 成品率 抽真空 多晶 熔体 温场 籽晶 制备 | ||
1.一种锗单晶的生长方法，该生长方法首先将原料熔化为熔体，然后抽真空，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶；其特征在于：
引晶过程中，控制晶体拉速为5-10mm/h；控制晶体生长速度为10-30g/h，晶体直径为20-30mm；
放肩过程中，维持拉速在0.1-0.3mm/h，控制晶体生长速度由10-30g/h逐步增加到500g/h；
等径生长过程中，维持拉速在0.1-0.3mm/h，控制晶体生长速度为500-2000g/h；
收尾过程中，手动控制拉速，拉速在10-100mm/h；
降温过程中，拉速为0，降温速率为20-50℃/h。
2.根据权利要求1 所述的生长方法，其特征在于：晶体总重量为原料总重的0.5~1.5%即进入引晶过程。
3.根据权利要求1 所述的生长方法，其特征在于：还剩1.5-2.5%的原料时即进入收尾过程。
4.根据权利要求1 所述的生长方法，其特征在于：所述温场梯度为2~5℃/cm。
5.根据权利要求1 所述的生长方法，其特征在于：放肩过程将形成晶体肩部，籽晶与晶体肩部的夹角为60~90°。
6.根据权利要求1 所述的生长方法，其特征在于：引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程均在真空气氛下进行，真空气氛气压值不超过0.001Pa。
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