[发明专利]光掩模坯及其制备方法

权利要求书

1.一种光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，所述膜(A)和所述膜(B)彼此接触，其中

当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于所述膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO₅的二次离子最大强度的位置处，源自Cr₂O₅的二次离子强度低于源自Cr的二次离子强度。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述膜(A)包含氧、氮或氧和氮这二者。

3.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述膜(A)由在厚度方向上具有连续梯度分布组分的组分梯度层或多层组成，并且所述膜(A)和膜(B)的界面处的铬浓度低于远离所述界面的所述膜(A)中的铬浓度。

4.根据权利要求3所述的光掩模坯，其中在所述膜(A)和膜(B)的界面处，铬(Cr)与E的原子比Cr/E为4以下，上述E代表除铬之外的元素。

5.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述至少一个膜(A)包括遮光膜。

6.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述膜(B)包括SiO膜或SiON膜。

7.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述膜(B)由在厚度方向上具有均匀组分的单层、在厚度方向上具有连续梯度组分的组分梯度层或多层组成，且在所述膜(A)和膜(B)界面处的氧浓度低于远离所述界面的所述膜(B)中的氧浓度。

8.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述至少一个膜(B)包括硬掩模膜。

9.根据权利要求8所述的光掩模坯，其中所述膜(B)比所述膜(A)薄。

10.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中在透明基材与所述膜(A)和(B)之间形成了膜(C)，所述膜(C)由含过渡金属和硅的膜或含硅且不含过渡金属和氧这二者的膜组成。

11.一种通过溅射方法制备光掩模坯的方法，所述光掩模坯包括透明基材、至少一个含铬且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧或含硅、氧和氮且不含过渡金属的膜(B)，所述膜(A)和膜(B)彼此接触，其中

所述方法包括如下步骤：

当所述膜(B)沉积在所述膜(A)上时，在沉积的初始阶段的规定时间段内，通过以低于匹配符合膜(B)功能的规定组分的设定值的量或流量供应含氧气体或不供应含氧气体来溅射膜(B)，随后，通过以匹配规定组分的设定值的量或流量供应含氧气体来溅射膜(B)；或者

当所述膜(A)沉积在所述膜(B)上时，通过以匹配符合膜(B)功能的规定组分的设定值的量或流量供应含氧气体来溅射膜(B)，随后，在沉积的最后阶段的规定时间段内，通过以低于匹配规定组分的设定值的量或流量供应含氧气体或不供应含氧气体来溅射膜(B)。