[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201711430804.5 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108305645B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/706 | 分类号： | G11B5/706;G11B5/725;G11B5/73;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 磁记录介质 结晶质 基板 磁存储装置 结晶结构 磁性层 配向 合金 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，其中，
所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，
所述第1底层是以W为主成分的结晶质层，
所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，
所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物,
所述以W为主成分的材料是指W的含量为90at％以上的材料。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
所述氧化物是W的氧化物。
3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
所述第2底层是非粒状结构。
4.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
在所述第2底层和所述磁性层之间还包括障碍层，
所述障碍层包括从由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，且具有NaCl型结构。
5.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
在所述基板和所述第1底层之间还包括配向制御层，
所述配向制御层是具有BCC结构的、Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者是具有B2结构的合金层。
6.一种磁记录装置，包括如权利要求1至5中的任一项所述的磁记录介质。
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