[发明专利]磁记录介质和磁存储装置

说明书

一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L1₀型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

技术领域

本发明涉及磁记录介质及磁存储装置。

背景技术

近年，对硬盘装置大容量化的要求日益提高。

然而，使用现有记录方式难以提高硬盘装置的记录密度。

热辅助磁记录方式作为下一代记录方式已经被进行了广泛的研究，并且也是备受瞩目的技术之一。热辅助磁记录方式是一种通过从磁头向磁记录介质照射近场光(near-field light)，对磁记录介质的表面进行局部加热，以使磁记录介质的矫顽力(coerciveforce)降低，进而进行写入(write)操作的记录方式。

在热辅助磁记录方式中，作为构成磁性层的材料，使用了诸如具有L1₀型结晶结构(晶体结构)的FePt(Ku～7×10⁷erg/cm³)、具有L1₀型结晶结构的CoPt(Ku～5×10⁷erg/cm³)那样的高Ku的材料。

如果作为构成磁性层的材料使用高Ku的材料，则KuV/kT变大。这里，Ku是磁性颗粒的磁各向异性常数，V是磁性颗粒的体积，k是Boltzmann(玻尔兹曼)常数，T是温度。为此，可不使热起伏(thermal fluctuation)恶化地减小磁性颗粒的体积。此时，通过对磁性颗粒进行微细化，在热辅助磁记录方式中可减小迁移(过渡)宽度，所以可降低噪音，并可改善信噪比(SNR)。

另外，为了获得垂直磁各向异性较高的热辅助磁记录介质，需要使作为构成磁性层的材料而使用的具有L1₀型结晶结构的合金进行(001)配向(orientation)。这里，由于磁性层的(001)配向性是由底层控制的，所以需要适当选择构成底层的材料。

作为构成热辅助磁记录介质的底层的材料，现有技术中熟知的有MgO、CrN、TiN等。

例如，专利文献1公开了一种先制作以MgO为主成分的底层，再制作由FePt合金构成的L1₀型有序合金(ordered alloy)层的信息记录介质的制造方法。

此外，专利文献2中记载了一种磁记录介质，具有：结晶质底层，其作为底层，并以W为主成分，且含有B、Si、C或氧化物；及磁性层，其以具有L1₀结构的合金为主成分。

另外，专利文献3中公开了一种使用薄膜的技术，该薄膜包括：作为热辅助磁记录介质的温度控制层的、贯穿膜厚并进行延伸的低热传导率材料区域；及作为对低热传导率材料区域进行分离的高热传导率材料区域的连续的基质(matrix)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1](日本)特开平11－353648号公报

[专利文献2](日本)特开2014－220029号公报

[专利文献3](日本)特开2006－196151号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

在热辅助磁记录介质中，为了获得良好的磁记录特性，如前所述，需要使用特定的底层，并使构成磁性层的、具有L1₀型结晶结构的合金进行(001)配向。