[发明专利]芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片封装层，包括至少一芯片及封装胶体，其中该芯片具有上表面，该封装胶体包覆该芯片且暴露该上表面；以及

至少一导电结构层，包括多个第一导电柱及多个第二导电柱，其中该些第一导电柱配置于该上表面上，该些第二导电柱配置于该上表面上，该些第二导电柱位于该上表面的边缘与该些第一导电柱之间，该些第二导电柱沿该边缘的延伸方向的密度大于或等于该些第一导电柱沿该边缘的延伸方向的密度的1.2倍。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该些第一导电柱构成第一导电柱阵列，该些第二导电柱沿该第一导电柱阵列的行方向排列，该第一导电柱阵列的第一行位于该些第二导电柱与该第一导电柱阵列的第二行之间，该些第二导电柱沿该第一导电柱阵列的行方向的密度大于或等于该第一导电柱阵列的各行的该些第一导电柱沿该第一导电柱阵列的行方向的密度的1.2倍。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其中该些第二导电柱的数量大于该第一导电柱阵列的各行的该些第一导电柱的数量。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该些第二导电柱沿该边缘的延伸方向的密度大于或等于该些第一导电柱沿该边缘的延伸方向的密度的1.75倍。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中各该第二导电柱沿垂直该边缘的方向的外径大于各该第一导电柱沿垂直该边缘的方向的外径的1.2倍。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中各该第二导电柱沿垂直该边缘的方向的外径大于各该第二导电柱沿平行该边缘的方向的外径的1.2倍。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构，包括重布线路层，配置于该导电结构层上。

8.如权利要求7所述的芯片封装结构，包括底部填充材料，其中该底部填充材料配置于该芯片封装层与该重布线路层之间且包覆该些第一导电柱及该些第二导电柱。

9.如权利要求7所述的芯片封装结构，其中该重布线路层承载另一该芯片封装结构而构成堆叠式封装模块。

10.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该至少一芯片的数量为多个，该至少一导电结构层的数量为多个，该些导电结构层分别对应于该些芯片。

11.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片封装层，包括至少一芯片及封装胶体，其中该芯片具有第一上表面，该封装胶体包覆该芯片且暴露该第一上表面，该封装胶体具有第二上表面，该第一上表面与该第二上表面共面；以及

至少一导电结构层，包括多个第一导电柱及多个第二导电柱，其中该些第一导电柱配置于该第一上表面上，该些第二导电柱配置于该第二上表面上而位于该芯片之外，该第一上表面的边缘位于该些第二导电柱与该些第一导电柱之间，该些第二导电柱沿该边缘的延伸方向排列。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构，其中该些第一导电柱构成第一导电柱阵列，该些第二导电柱沿该第一导电柱阵列的行方向排列，该第一导电柱阵列的第一行位于该些第二导电柱与该第一导电柱阵列的第二行之间。

13.如权利要求12所述的芯片封装结构，其中该些第二导电柱与该第一导电柱阵列的第一行之间的距离等于该第一导电柱阵列的第一行与该第一导电柱阵列的第二行之间的距离。

14.如权利要求12所述的芯片封装结构，其中该些第二导电柱与该第一导电柱阵列的第一行之间的距离小于该第一导电柱阵列的第一行与该第一导电柱阵列的第二行之间的距离。

15.如权利要求11所述的芯片封装结构，包括重布线路层，配置于该导电结构层上。