[发明专利]封装元件及其制作方法在审
申请号: | 201711433952.2 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN109326569A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 周学轩;范家杰;王冠人;王程麒;林宜宏;宋立伟 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/528;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装元件 重布线层 导电垫 区块 区块设置 电连接 制作 | ||
1.一种封装元件,其特征在于,包括:
一导电垫;
一保护区块,设置于该导电垫上;以及
一重布线层,设置于该保护区块上,且该导电垫通过该保护区块电连接至该重布线层。
2.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,该导电垫直接接触该保护区块。
3.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,该保护区块于该封装元件的俯视方向上覆盖该导电垫。
4.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,该导电垫与该保护区块由一相同材料所形成。
5.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,该保护区块包括一导电材料。
6.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,该导电垫与该保护区块具有不同的厚度。
7.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,还包括一电子元件,设置于该重布线层上,且该导电垫通过该保护区块与该重布线层电连接该电子元件。
8.如权利要求7所述的封装元件,其特征在于,该重布线层包括至少一介电层与至少一图案化导电层,且该导电垫通过该图案化导电层电连接该电子元件。
9.如权利要求1所述的封装元件,其特征在于,还包括一导电球,与该导电垫相接触。
10.一种封装元件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
于一载板上形成一离型层;
于该离型层上形成一保护层与一导电垫,其中该保护层接触该导电垫;
于该保护层与该导电垫上形成一重布线层;
移除该离型层与该载板;以及
蚀刻该保护层。
11.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:在移除该离型层与该载板之前,将一电子元件设置于该重布线层上。
12.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,该导电垫与该保护层由同一材料所形成。
13.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,该导电垫与该保护层具有不同的厚度。
14.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:于移除该离型层与蚀刻该保护层之间,对该保护层进行一清洗制程。
15.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,通过以下步骤形成该导电垫与该保护层:
于该离型层上形成该导电垫;以及
于该导电垫与该离型层上形成该保护层,
其中蚀刻该保护层包括移除该保护层的一部分,以暴露出该重布线层。
16.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,通过以下步骤形成该导电垫与该保护层:
于该离型层上形成该保护层;以及
于该保护层上形成该导电垫,
其中蚀刻该保护层包括移除该保护层,以暴露出该导电垫。
17.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,通过以下步骤形成该导电垫与该保护层:
于该离型层上形成一导电层;以及
蚀刻该导电层,以形成该导电垫与该保护层,
其中该导电垫的厚度大于该保护层的厚度,且蚀刻该保护层包括移除该保护层。
18.如权利要求10所述的封装元件的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:于蚀刻该保护层之后,于该导电垫上形成一导电球。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711433952.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种肖特基二极管及制作方法
- 下一篇:半导体封装结构