[发明专利]一种光刻胶去除剂在审
| 申请号： | 201711439629.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109976109A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶去除剂 光刻胶 硼酸 蚀刻 季胺氢氧化物 有机溶剂及水 快速去除 金属铝 耐水性 清洗液 醇胺 去除 半导体 金属 | ||
1.一种光刻胶去除剂，其特征在于，包括，醇胺，硼酸及其衍生物，有机溶剂及水。
2.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺及二甘醇胺中的一种或多种。
3.如权利要求2所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。
4.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述醇胺的质量百分比浓度为0.1-50％。
5.如权利要求4所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述醇胺的质量百分比浓度为5-30％。
6.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸、3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述硼酸及其衍生物的质量百分比浓度为0.01～10％。
8.如权利要求7所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述硼酸及其衍生物的质量百分比浓度为0.3-5％。
9.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。
10.如权利要求9所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述砜选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述咪唑啉酮选自1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；
所述醇醚选自二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。
11.如权利要求1所述的光刻胶去除剂，其特征在于，
所述水的质量百分比浓度为0～30％。
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