[发明专利]一种光刻胶去除剂

说明书

本发明提供一种光刻胶去除剂，其包括醇胺，硼酸及其衍生物，有机溶剂及水。本发明的光刻胶去除剂，不含有季胺氢氧化物，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属铝等具有非常低的蚀刻速率，还具有很好的耐水性。该光刻胶清洗液既能有效的去除光刻胶又能保护金属。

技术领域

本发明涉及清洗液技术领域，尤其涉及一种用于半导体制造过程的光刻胶去除剂。

背景技术

在通常的LED和半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。

目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％；如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶，其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾(KOH)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，其对半导体晶片基材的腐蚀较高。上述的清洗液中，由于含有游离的强碱性基团—OH，故其对金属基材往往会造成一定的腐蚀。而另一类是基本上不含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般小于5％，甚至基本上不含有水。如US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40～120℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一种含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清洗液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。非水性光刻胶清洗液由于不含有水，其对金属基材基本无腐蚀；但该类清洗液在操作体系中混有少量的水的时候，其金属的腐蚀速率会显著上升，从而导致金属基材的腐蚀。故存在操作窗口较小的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种有效地去除光刻胶残留物的去除剂。本发明的光刻胶去除剂，不含有季胺氢氧化物，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属铝等具有非常低的蚀刻速率，还具有很好的耐水性。该光刻胶清洗液既能有效的去除光刻胶又能保护金属。

本发明涉及一种光刻胶去除剂，其包括，醇胺，硼酸及其衍生物，有机溶剂及水。

优选地，所述醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺及二甘醇胺中的一种或多种。

优选地，所述醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。

优选地，所述醇胺的质量百分比浓度为0.1-50％，更加优选地，为5-30％。

优选地，所述硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸、3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。

优选地，所述硼酸的质量百分比浓度为0.01～10％，更加优选地，为0.3-5％。