[发明专利]PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711440039.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108249919A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张珍宣;刘长流;戴昭波;张玉芬;陈键;高智红 | 申请（专利权）人： | 贵州振华红云电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622;C04B35/63;C04B41/88;H01L41/187;H01L41/37 |
| 代理公司： | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人： | 杨云 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 配方化学 烘干 过筛 计量 压电陶瓷器件 陶瓷片表面 压电陶瓷片 极化处理 介质损耗 聚乙烯醇 压电性能 陶瓷片 原料球 被银 成坯 排胶 球磨 烧银 预烧 造粒 压制 | ||
1.一种PSN-PZT压电陶瓷片，其特征在于配方化学计量通式为：
Pb0.9Sr0.1｛（Zr0.55Ti0.45）0.98+（Sb1/2Nb1/2）0.02｝O3+xwt%Co2O3，其中，x=0.05～0.3。
2.一种制备权利要求1所述的PSN-PZT压电陶瓷片的方法，其特征在于其制备方法如下：
1）将所述配方化学计量通式中的原料与去离子水混合、球磨4h，得到第一浆料；球磨机转速为480r/min；
2）将所述第一浆料于110～130℃下烘干，粉碎、过40～60目筛，得第一筛下物；
3）将所述第一筛下物置于炉内，按3.5℃/min速率升温至950～1050℃、保温2～4h，冷却，得预烧物料；
4）将所述预烧物料与去离子水混合、再次球磨4h，得到第二浆料；球磨机转速为480r/min；
5）将所述第二浆料于110～130℃下烘干，粉碎、过40～60目筛，得第二筛下物；
6）将所述第二筛下物与聚乙烯醇混合、造粒，压制成坯件；聚乙烯醇的添加量为第二筛下物的3～5wt%；
7）将所述坯件置于炉内，按0.5～1.5℃/min的速率升温至580～630℃、保温排胶80～150min；
8）将排胶后的坯件置于炉内，按2.5～3.5℃/min的速率升温至1210～1270℃、保温1.5～2.5h，随炉冷却，得陶瓷片；
9）在所述陶瓷片的表面涂覆银电极浆料，然后770～800℃烧银固化；
10）将经过被电极处理的陶瓷片置于78～85℃的硅油中，在2.5～3.5KV/㎜电场强度下极化25～30min。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中，磨球、所述原料、去离子水的重量配比为2:1:1。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：步骤4）中，磨球、所述原料、去离子水的重量配比为2:1:0.6。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤7）中的排胶温度为630℃。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤9）中的烧银温度为780℃。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤10）中的硅油温度为80℃、极化时间为25min。
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