[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；

第一配线，设置在所述基板上的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域；

半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在所述第一区域，设置在所述第一配线与所述基板之间，并在所述第二区域，与所述第一配线接触；

第二配线，设置在比所述半导体膜更接近所述基板的位置，并且在所述第三区域与所述第一配线接触；以及

绝缘膜，设置在所述第一区域的所述第一配线与所述半导体膜之间，

所述半导体装置进一步具有储存电容器，

所述第二配线构成所述储存电容器的一方的电极，

所述半导体膜通过所述第一配线与所述储存电容器的所述一方的电极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一区域，所述半导体膜的一部分从所述绝缘膜和所述第一配线露出。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，至少在所述第一区域，所述第一配线的宽度比所述半导体膜的宽度小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一配线在所述第一区域具有端部，

从所述第一配线的所述端部到所述第二区域的距离，具有互相不同的多个值。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步具有晶体管，

在所述半导体膜上，设置有所述晶体管的沟道区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在所述半导体膜中，所述低电阻区域设置在所述沟道区域与所述第一区域之间，并且所述低电阻区域的厚度比所述第二区域的厚度小。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述晶体管在所述基板上依次具有所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述栅极绝缘膜含有与所述绝缘膜同一的构成材料，并且具有与所述绝缘膜同一的厚度，

所述栅电极含有与所述第一配线同一的构成材料，并且具有与所述第一配线同一的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，沿着所述所定的方向的所述第一区域的长度小于等于2μm。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一配线、半导体膜和所述第二配线的宽度小于等于5μm。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体膜含有氧化物半导体材料。

12.一种半导体装置，具备：

基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；

第一配线，至少设置在所述基板上的所述第三区域；

第一绝缘膜，覆盖所述第一配线；

半导体膜，以隔着所述第一绝缘膜的方式设置在所述基板上的所述第一区域和所述第二区域，并且至少其一部分具有低电阻区域；

第二绝缘膜，覆盖所述半导体膜；以及

第二配线，隔着所述第二绝缘膜设置在所述基板上的所述第二区域和所述第三区域，并且通过设置在所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜上的连接孔，在所述第二区域与所述半导体膜接触，并在所述第三区域与所述第一配线接触，

所述第二配线的宽度和所述半导体膜的宽度比所述连接孔的宽度大，

所述半导体装置进一步具有储存电容器，

所述第一配线构成所述储存电容器的一方的电极，

所述半导体膜通过所述第二配线与所述储存电容器的所述一方的电极连接。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，在所述第一区域，所述半导体膜从所述第二绝缘膜和所述第二配线露出。