[发明专利]半导体装置

说明书

本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。

技术领域

本技术涉及一种具有例如薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)等的半导体装置。

背景技术

近些年，伴随有源矩阵驱动方式的显示器的大屏幕化和高速驱动化，正在积极进行将氧化物半导体膜用于沟道的薄膜晶体管的开发(例如，专利文献1～3)。在具有氧化物半导体膜的半导体装置中，设置有薄膜晶体管、多根配线和储存电容器元件等。

另外，在用于驱动显示装置等的半导体装置中，除了设置有这样的薄膜晶体管之外，还设置有储存电容器，并且薄膜晶体管与储存电容器电连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-108731号公报

专利文献2：日本特开2016-9791号公报

专利文献3：日本特开2011-228622号公报。

发明内容

在这样的半导体装置中，期望提高如上所述的接触(连接)的稳定性。另外，在半导体装置中，期望更加提高电子元件和配线等的设计自由度。

期望提供一种可以提高接触的稳定性的半导体装置和可以提高设计自由度的半导体装置。

本技术的一种实施方式的半导体装置(1)具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。

在本技术的一种实施方式的半导体装置(1)中，通过第二区域和第三区域的第一配线，形成半导体膜与第二配线的触点。在这里，因为在第一区域的第一配线与半导体膜之间设置有绝缘膜，所以在形成半导体膜之上的配线时能够保护第一区域的半导体膜。例如形成第一配线时的蚀刻的影响，不易波及半导体膜，可以抑制半导体膜的膜损耗等。

本技术的一种实施方式的半导体装置(2)具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，至少设置在基板上的第三区域；第一绝缘膜，覆盖第一配线；半导体膜，以隔着第一绝缘膜的方式设置在基板上的第一区域和第二区域，并且至少其一部分具有低电阻区域；第二绝缘膜，覆盖半导体膜；以及第二配线，隔着第二绝缘膜设置在基板上的第二区域和第三区域，并且通过设置在第二绝缘膜和第一绝缘膜上的连接孔，在第二区域与半导体膜接触，并在第三区域与第一配线接触。第二配线的宽度和半导体膜的宽度比连接孔的宽度大。

在本技术的一种实施方式的半导体装置(2)中，通过第二区域和第三区域的第二配线，形成半导体膜与第一配线的触点。在这里，因为第二配线的宽度和半导体膜的宽度比连接孔的宽度大；所以即使第一区域的半导体膜以与连接孔同样的宽度膜损耗、或消失，也能够确保载流子的路径。

本技术的一种实施方式的半导体装置(3)具备：晶体管，具有栅电极和与栅电极对置的氧化物半导体膜的沟道区域；第一配线，设置在氧化物半导体膜的同一层，并且含有与氧化物半导体膜同一的构成材料；第二配线，设置在栅电极的同一层；以及层叠部，包括隔着第一配线与第二配线对置的氧渗透防止膜，和氧渗透防止膜与第一配线之间的第一绝缘膜。