[发明专利]聚酰亚胺层的制备方法有效
| 申请号： | 201711445730.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979800B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王吉伟;高留春;眭利民;牟亮伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 制备 方法 | ||
1.一种聚酰亚胺层的制备方法，包括：
去除金属层表面的电荷；
在去除电荷后的金属层表面形成聚酰亚胺层，在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理；
使用显影液对所述光敏性物质和所述聚酰亚胺层进行显影，形成所需的聚酰亚胺层图案；所述在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理的步骤中涂覆的是正性光刻胶，所述使用显影液对所述光刻胶和所述聚酰亚胺层进行显影的步骤是使用碱性的正胶显影液显影。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述形成所需的聚酰亚胺层图案的步骤之后，还包括对所述聚酰亚胺层进行固化处理、形成钝化层的步骤。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质是铝或铝合金。
4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述去除金属层表面的电荷的步骤是使用通入了二氧化碳的去离子水冲洗所述金属层表面。
5.根据权利要求4所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述去除金属层表面的电荷的步骤是通过旋转装置旋转表面形成有金属层的晶圆，同时进行高压水清洗。
6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述去除金属层表面的电荷的步骤是对表面形成有金属层的晶圆加热并通入氢气。
7.根据权利要求6所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述加热的同时还通入氮气对晶圆进行保护。
8.根据权利要求6或7所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为300～500摄氏度。
9.根据权利要求1所述的聚酰亚胺层的制备方法，其特征在于，所述去除金属层表面的电荷的步骤是使用紫外光对所述金属层表面进行照射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
