[发明专利]聚酰亚胺层的制备方法

说明书

本发明涉及一种聚酰亚胺层的制备方法，包括：去除金属层表面的电荷；在金属层表面形成聚酰亚胺层，在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理；使用显影液对所述光敏性物质和所述聚酰亚胺层进行显影，形成所需的聚酰亚胺层图案。本发明在形成聚酰亚胺层之前去除金属层表面的电荷，改变了金属层表面的电位，从而有效解决了制备聚酰亚胺层时的显影步骤中显影液对金属层表面的侵蚀问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种聚酰亚胺层的制备方法。

背景技术

聚酰亚胺(Polyimide)材料由于其良好的耐高温特性、机械性能、电学性能以及化学稳定性，常被应用于半导体器件的钝化层(passivation)工艺中，以减少各种自然环境和工作环境对半导体器件造成的损害，提高器件的可靠性和稳定性。

传统技术中部分器件的光刻生产线是使用正胶+碱性显影的方式，为了兼容该光刻生产线，聚酰亚胺制备也通过正胶+碱性显影的方式来实现。

但发明人在实际作业过程中，发现碱性显影液对聚酰亚胺下方的顶层金属(TopMetal)的侵蚀比较严重，影响顶层金属的表观及后续的引线键合(wire bonding)工序。

为解决此问题，可以通过使用负胶、显影液使用二甲苯的工艺，这样显影液不会对顶层金属造成侵蚀。但这种方案需要额外增加负胶工艺及配套负胶工艺相关的机台。

发明内容

基于此，有必要提供一种兼容正胶工艺、且能解决聚酰亚胺层制备过程中对下方金属的侵蚀问题的聚酰亚胺层的制备方法。

一种聚酰亚胺层的制备方法，包括：去除金属层表面的电荷；在金属层表面形成聚酰亚胺层，在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理；使用显影液对所述光敏性物质和所述聚酰亚胺层进行显影，形成所需的聚酰亚胺层图案。

在其中一个实施例中，所述在所述聚酰亚胺层表面涂覆光敏性物质并进行曝光处理的步骤中涂覆的是正性光刻胶，所述使用显影液对所述光刻胶和所述聚酰亚胺层进行显影的步骤是使用碱性的正胶显影液显影。

在其中一个实施例中，所述形成所需的聚酰亚胺层图案的步骤之后，还包括对所述聚酰亚胺层进行固化处理、形成钝化层的步骤。

在其中一个实施例中，所述金属层的材质是铝或铝合金。

在其中一个实施例中，所述去除金属层表面的电荷的步骤是使用通入了二氧化碳的去离子水冲洗所述金属层表面。

在其中一个实施例中，所述除金属层表面的电荷的步骤是通过旋转装置旋转表面形成有金属层的晶圆，同时进行高压水清洗。

在其中一个实施例中，所述去除金属层表面的电荷的步骤是对表面形成有金属层的晶圆加热并通入氢气。

在其中一个实施例中，所述加热的同时还通入氮气对晶圆进行保护。

在其中一个实施例中，所述加热的温度为300～500摄氏度。

在其中一个实施例中，所述去除金属层表面的电荷的步骤是使用紫外光对所述金属层表面进行照射。

上述聚酰亚胺层的制备方法，在形成聚酰亚胺层之前去除金属层表面的电荷，改变了金属层表面的电位，从而有效解决了制备聚酰亚胺层时的显影步骤中显影液对金属层表面的侵蚀问题。

附图说明

图1是一实施例中聚酰亚胺层的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。