[发明专利]评价装置及评价方法

说明书

本发明的目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。评价装置具备：探针，其配置于上部件的下表面；侧壁部，其配置于上部件的下表面，将探针的侧方包围；以及第1气体供给部。第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下，能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体，在侧壁部与工作台接触的情况下，能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。

技术领域

本发明涉及对被测定物的电气特性进行评价的评价装置及评价方法。

背景技术

已知针对半导体晶片或作为从半导体晶片单片化的半导体芯片的半导体装置等被测定物，对电气特性进行评价的评价装置。在对电气特性进行评价时，评价装置通过真空吸附等使被测定物的设置面与卡盘工作台的载置面接触而固定于该载置面后，使用于进行电输入、输出的探针与在被测定物的非设置面的一部分设置的电极接触。在被测定物为在纵向即面外方向流动大电流的纵型结构的半导体装置的情况下，使用在载置面设置有电极的卡盘工作台。就这样的评价装置而言，以往，实施了探针的多针化，满足施加大电流、高电压的要求。

此外，在被测定物为芯片状态的纵型结构的半导体装置的情况下，有时在其评价中，半导体装置的在非设置面的一部分设置的电极和卡盘工作台侧的与卡盘工作台同电位的区域之间产生电位差而发生局部放电现象。该局部放电会导致产生半导体装置的局部破损、半导体装置的故障等。此外，在产生了电位差的探针之间、探针和有电位差的其它电极之间也可能发生局部放电。

在将产生了局部放电的半导体装置作为合格品直接流出到后段工序的情况下，在后段工序中提取出这样的半导体装置是非常困难的。因此，优选实施以下措施，即，通过事先抑制局部放电，从而避免由局部放电引起的故障。因此，提出了各种抑制局部放电的技术(例如专利文献1及2)。

专利文献1：日本特开2011-252792号公报

专利文献2：日本特开2015-35577号公报

在上述专利文献1公开的技术中，通过在密闭的压力容器内载置被测定物，在对压力容器内加压的状态下进行评价，从而防止在被测定物的高电压试验中发生的放电。在专利文献2公开的技术中，并非是使用密闭的压力容器，而是在非密闭状态下对部件内进行加压而实施晶片内的器件的检查，由此防止放电。

但是，在专利文献1及2这两者的技术中，如果评价时在被测定物之上存在异物，则有可能产生经由异物的放电路径，因此有可能无法期待放电抑制效果。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。

本发明涉及的评价装置对被测定物的电气特性进行评价，该评价装置具备：工作台，其载置所述被测定物；以及上部件，其配置于所述工作台上方。所述工作台和所述上部件能够彼此接近及远离。评价装置还具备：探针，其配置于所述上部件的下表面；侧壁部，其配置于所述上部件的所述下表面，将所述探针的侧方包围；第1气体供给部，其在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向在所述工作台载置的所述被测定物供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对由所述工作台、所述侧壁部及所述上部件包围的空间供给气体；以及评价部，其在通过所述第1气体供给部的气体的供给而使所述空间的压力上升的状态下，对与所述探针连接的所述被测定物的电气特性进行评价。

发明的效果

根据本发明，第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下，能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体，在侧壁部与工作台接触的情况下，能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。根据这样的结构，能够抑制局部放电的发生。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的评价装置的结构的侧视概略图。

图2是表示半导体装置的结构的一个例子的俯视概略图。