[发明专利]一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置在审
申请号: | 201711447020.3 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN109979510A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 胡洪;张赛;付永庆;李宁 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储单元组 擦除 存储单元 闪存块 非易失性闪存 块擦除 漏电流 擦除操作 擦除指令 判断结果 过擦除 存储器读写 字线 保证 | ||
1.一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法,其特征在于,所述方法包括:
将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组;
接收所述闪存块擦除指令;
根据所述闪存块擦除指令,对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断;若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元,所述存储单元组擦除判断结果为是;
针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断包括:
对所述一待擦除判断的存储单元组加正电压,对其余存储单元组加负电压;所述负电压的绝对值小于擦除电压的绝对值;
对所述待擦除判断的存储单元组,进行判定;若所述待擦除判断的存储单元组中不存在未被擦除的存储单元,则所述待擦除判断的存储单元组的判定结果为是;
将所述判定结果作为所述待擦除判断的存储单元组的擦除判断结果;
进入下一个待擦除判断的存储单元组的擦除判断操作。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述一待擦除判断的存储单元组中的存储单元地址与所述下一个待擦除判断的存储单元组中的存储单元地址连续。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
针对所述擦除判断结果为否的存储单元组执行擦除操作。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作包括:针对所述擦除判断结果为是的存储单元组,加与所述擦除指令反向的电压。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:记录所述各个存储单元组的擦除判断结果。
7.一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流装置,其特征在于,所述装置包括:
分组模块,用于将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组;
擦除指令接收模块,用于接收所述闪存块擦除指令;
擦除判断模块,用于根据所述闪存块擦除指令,对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断;若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元,所述存储单元组擦除判断结果为是;
第一擦除执行模块,用于针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述擦除判断模块包括:
电压控制单元,用于对所述一待擦除判断的存储单元组加正电压,对其余存储单元组加负电压;所述负电压的绝对值小于擦除电压的绝对值;
判定单元,用于对所述待擦除判断的存储单元组,进行判定;若所述待擦除判断的存储单元组中不存在未被擦除的存储单元,则所述待擦除判断的存储单元组的判定结果为是;
擦除判断结果获取单元,用于将所述判定结果作为所述待擦除判断的存储单元组的擦除判断结果;
跳转单元,用于进入下一个待擦除判断的存储单元组的擦除判断操作。
9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二擦除执行模块,用于针对所述擦除判断结果为否的存储单元组执行擦除操作。
10.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一擦除执行模块包括:
擦除指令反向电压单元,用于针对所述擦除判断结果为是的存储单元组,加与所述擦除指令反向的电压。
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