[发明专利]一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置

说明书

本发明涉及存储器读写擦除技术领域，本发明公开了一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法及装置，所述方法包括：将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组；接收所述闪存块擦除指令；根据所述闪存块擦除指令，对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断；若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元，所述存储单元组擦除判断结果为是；针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。本发明实施例对上述各个存储单元组执行擦除判断，针对不存在未擦除的存储单元的存储单元组不执行擦除操作，保证该存储单元组不会被过擦除，减少了非易失性闪存块在块擦除的过程中的过擦除的存储单元，减少了漏电流的存在。

技术领域

本发明属于存储器读写擦除技术领域，具体涉及一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法及装置。

背景技术

当今，数据存储是计算机使用中的一项重要功能。非易失性存储器，是其中重要的一个类型，NOR Flash(非易失性闪存)是常用的非易失性存储器。

对于NOR Flash产品来说，读、写、擦是其最基本的三个功能。因此，能够保证这三个功能的正确实现对于NOR Flash产品来说至关重要。下图1是存储单元的阈值电压分布图，图1中存储单元由1->0存储单元为program(写)过程，反之为erase(擦除)过程，Vr为read电压。目前，对NOR Flash block(非易失性闪存块)擦除过程中，是对所有的存储单元执行一次擦除操作，然而在对NOR Flash block中所有存储单元的擦除过程中，很可能会出现把一些存储单元过擦除，导致过擦除的存储单元阈值电压(Vt)<0，即图1中虚线区域对应的存储单元的阈值电压(Vt)<0，从而导致泄漏电流的存在。

发明人在在研究上述现有技术的过程中发现，由于对NOR Flash block擦除过程中，是对所有的存储单元执行一次擦除操作，可能存在过擦除的存储单元，使得漏电流的存在，进而导致不同WL(word line，字线)，同一根BL(bit line，位线)上的存储单元可能出现误读。如图2中，若存储单元1，即图2中的cell1，出现过擦除，则整个BLn上都可能会有电流的存在，那么假如存储单元2原来是program存储单元，那么由于漏电流的存在，读的时候就有可能把存储单元2，即图2中的cell2，误读为erase存储单元，导致读出的结果出现错误。图2中的Sense Amplifier(读出放大器)，可以用于读取各个存储单元的存储状态，并将读取结果进行放大，传输给其它控制单元。

发明内容

本发明提供的一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置，旨在解决，NOR Flash block擦除过程中，直接对所有的存储单元执行一次擦除操作，存在过擦除的存储单元，使得较多漏电流的存在的问题。

本发明提供的一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法，所述方法包括：

将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组；

接收所述闪存块擦除指令；

根据所述闪存块擦除指令，对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断；若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元，所述存储单元组擦除判断结果为是；

针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。

优选的，所述对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断包括：

对所述一待擦除判断的存储单元组加正电压，对其余存储单元组加负电压；所述负电压的绝对值小于擦除电压的绝对值；

对所述待擦除判断的存储单元组，进行判定；若所述待擦除判断的存储单元组中不存在未被擦除的存储单元，则所述待擦除判断的存储单元组的判定结果为是；

将所述判定结果作为所述待擦除判断的存储单元组的擦除判断结果；