[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法

说明书

本发明涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法；包括以下步骤：先通过参杂扩散的方式制造击穿电压为900V～1100V的芯片；通过电子束蒸发的方式对实现硅片的表面金属化；将硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与多颗串联叠加的芯片通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具备了玻璃钝化快恢复整流硅堆反向恢复时间快、反向工作电压高、抗温度和机械冲击能力强的特点，具有极高的推广价值。

技术领域

本发明涉及快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法。

背景技术

玻璃钝化整流硅堆由于其反向峰值电压高，封装体积小，广泛运用于各类设备、仪器的高压电路中,由于国内大部分高压快恢复整流硅堆为轴向器件，目前没有涉及玻璃钝化表贴封装的快恢复整流硅堆器件。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法。

本发明通过以下技术方案得以实现。

一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，包括以下步骤：

(1)制备芯片：选取电阻率为15Ω·cm～25Ω·cm的N型单晶硅片，依次通过磷扩散、硼扩散、铂扩散制造反向工作电压为900V～1100V、反向恢复时间30ns～100ns硅片，通过电子蒸发的方式分别蒸发厚度为10μm～15μm、4μm～8μm的两种硅片，将硅片分别采用台面成型机吹砂切割成规定尺寸的芯片；

(2)制备管芯组件：将所述两种管芯分极处理后，其中第一颗管芯和最后一颗管芯装模金属化层厚度为10μm～15μm的芯片，中间的管芯装金属化层为4μm～8μm的芯片，其装模的管芯总数根据器件需要实现的反向工作电压确定，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯和电极进行烧结形成管芯组件；

(3)采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀2～3次，每次 30s～90s，然后用大量去离子水冲洗干净；

(4)在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型；

(5)将成型后的轴向产品组件与电极引出端通过焊料在专用模具上进行高温焊接，切除引线后，实现玻璃钝化表贴封装。

所述的整流硅堆，是由PN结串联叠加制成。

所述的电极引材料，是钨或钼中的一种。

所述的焊料为铝。

所述的电极片，为铜电极片，电极片规格为圆形或方形。

所述整流硅堆，其最高反向工作电压在2000V～20000V。

所述表贴玻璃钝化，是U型表贴封装结构。

综上所述，本发明的有益效果在于：器件采用玻璃钝化封装工艺，具有较高的可靠性，能在-65℃～175℃温度范围内均能稳定工作，器件采用多颗PN结串联叠加的方式实现高压性能，最高反向工作电压到达2000～20000V，同时器件采用U型玻璃钝化表贴封装，具有易安装、工作温度范围宽、抗机械冲击能力强、可靠性高的特点。

本发明将高压快恢复整流硅堆和器件的表贴封装进行结合，使产品具备了表贴器件易安装特点，同时具备了玻璃钝化快恢复整流硅堆反向恢复时间快、反向工作电压高、抗温度和机械冲击能力强的特点，具有极高的推广价值。

附图说明