[发明专利]一种纳米钴酸镧材料及其制备方法在审
申请号: | 201711449857.1 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108144623A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 郭冀峰;李鹏涛;陈慧;张王超;杨超思;李俊霞 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
主分类号: | B01J23/83 | 分类号: | B01J23/83;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/30 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710064 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 纳米粉体 纳米钴 钴酸镧 酸镧 混合液 柠檬酸 光催化处理 光催化特性 甲基橙废水 蒸馏水溶解 混合粉体 晶体纯度 能耗成本 水热反应 烧结 分散剂 硫酸钴 硝酸钴 硝酸镧 乙二醇 粉体 降解 可控 生产工艺 洗涤 合成 | ||
本发明公开了一种纳米钴酸镧材料及其制备方法,在硝酸镧、硫酸钴和硝酸钴的混合粉体中加蒸馏水溶解得到混合液,在混合液中依次加入柠檬酸、分散剂和乙二醇后搅拌,调节溶液的pH=9~10;然后进行水热反应,得到产物;将所得产物进行洗涤、离心、干燥后烧结,最后得到纳米钴酸镧粉体;在一个合成温度相对较低、条件简便的条件下制备得到钴酸镧纳米粉体。本发明方法工艺简单、条件可控、转化率高、能耗成本低,有效改善了钴酸镧纳米粉体的生产工艺。且由本方法制备的钴酸镧纳米粉体晶体纯度好,尺寸小,具备良好的光催化特性。可以实现对甲基橙废水的降解,光催化处理效率可以达到90%以上。
技术领域
本发明属于环境保护技术领域,具体涉及一种纳米钴酸镧材料及其制备方法。
背景技术
近年来,以半导体材料作为光催化剂在常温下用于降解有机废水,已经在环境保护和污水处理上得到广泛应用。半导体材料价廉易得、成本低、无毒、无二次污染,易于重复利用。半导体材料以其自身的结构特点,在光照射条件下可以激发产生光生电子-空穴对,从而具备了高级氧化的能力,以产生的活性自由基作为氧化剂,可以去除污水中的难降解有机物。抗生素类、有机染料等已经成为其主要目标降解物。但是,多数半导体光催化材料自身禁带宽度较宽,光生电子与空穴容易二次结合,阻碍了光催化氧化的能力。
钙钛矿相钴酸镧纳米粉体通常的制备方法有溶胶-凝胶法、共沉淀法、水热法等,但以上方法存在着工艺复杂、前驱体昂贵、转化率低等缺陷。因此,在实际生产应用中,要求开发一种条件简单、能耗低、过程可控的方法,在较低温的合成条件下,生产出化学成分单一、稳定、质量高的大量产物。毕军等在《大连交通大学学报》上以溶胶-凝胶法制备出钙钛矿型钴酸镧光催化剂,但合成的催化剂颗粒粒径大,不是纳米级别,并且存在着团聚现象,粒度分布均匀性不高;陈阳等在《材料导报》上以氧化镧、硝酸钴等为原料,用溶胶-凝胶法结合超临界流体干燥技术制备了超细钙钛矿型钴酸镧,但制备产品中存在杂质,而且所得产品是在紫外灯照射下具备光催化效果,这些缺点都使得该方法的应用受到极大的局限。
发明内容
针对现有制备技术的缺陷和不足,本发明的目的是提供了一种纳米钴酸镧材料及其制备方法,钴酸镧粉体的粒度达到纳米级,且晶体纯度和均匀性好,具备良好的光催化性能。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案予以实现:
一种纳米钴酸镧材料的制备方法,包括:
在硝酸镧、硫酸钴和硝酸钴的混合粉体中加蒸馏水溶解得到混合液,在混合液中依次加入柠檬酸、分散剂和乙二醇后搅拌,调节溶液的pH=9~10;然后进行水热反应,得到产物;将所得产物进行洗涤、离心、干燥后烧结,最后得到纳米钴酸镧粉体;
其中,硝酸镧、硫酸钴和硝酸钴的摩尔比为2:1:1,La3+和Co3+的摩尔总和与柠檬酸的摩尔比为2:5~25。
进一步的,所述蒸馏水的加入量使得混合液中的La3+的浓度为0.2~0.4mol/L,Co3+的浓度为0.2~0.4mol/L。
进一步的,所述的分散剂的质量为混合液质量的1%~1.5%;所述的乙二醇的加入量为1~2ml。
进一步的,所述的分散剂为聚乙烯吡咯烷酮或PEG4000。
进一步的,使用NaOH溶液或氨水调节溶液的pH值。
进一步的,混合液中依次加入柠檬酸、分散剂和乙二醇后搅拌,该搅拌过程为:在30~50℃下搅拌1h。
进一步的,所述的水热反应在150~160℃反应16~20h。
进一步的,所得产物的洗涤方法为:分别以蒸馏水和无水乙醇交替洗涤两次;产物的干燥方法为:将离心后所得产物在70℃下恒温干燥10h。
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