[发明专利]一种具有大功率高压器件模块结构在审
| 申请号： | 201711452893.3 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980006A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;沈立;程玉华;周润宝;沈金龙 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 电场 浓度线性 顶层硅 高耐压 击穿 大功率高压 常规结构 感应电子 高压器件 工作机理 击穿电压 结构参数 界面掺杂 界面电荷 连续增大 器件模块 电荷 电离 反型 硅层 漏端 源端 耗尽 束缚 削弱 引入 积累 研究 | ||
1.一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件，其自下而上依次层叠有衬底层、介质埋层和有源层，其特征在于:
所述有源层包括：
分别位于所述有源层的表面并且相互分离的源区(20a)和漏区(20c)以及栅区(20b)，以及所述体区(18a)，体区下方的浓度线性变化的n+层(12a)，介质埋层(14a)及其下方的浓度线性变化的p+层(13a).
位于所述源区和所述漏区之间的所述有源层为漂移区(15a)，所述漂移区和所述体区的导电类型相反；
所述有源层在其表面以下设置有半导体埋层(14a)，所述半导体埋层和所述体区的导电类型相同。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体埋层与所述体区接触、或所述半导体埋层与所述体区不接触。
3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述器件的平视图为不对称结构，所述栅区位于所述器件的中心，由所述漏区向外依次是所述半导体埋层、所述体区。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述器件为不对称结构。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述器件在俯视时，所述漏区为椭圆形，所述半导体埋层长方形。
6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述器件为面对称结构，平分所述漏区且不穿过所述的平面为所述器件的对称面。
7.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于,所述器件用于LDMOS控制的半导体器件。
8.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述有源层的材料包括Si、SIO2。
9.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述介质埋层的材料为Si02,或者为包括SiOF或SiCOF的介电系数低于Si02且临界击穿电场高于Si临界击穿电场的3倍的介质。
10.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，在所述器件用作高压器件并与低压电路隔离时，能起到耐高压作用。
11.一种集成电路，其特征在于，作为所述集成电路的有源器件，包括根据权利要求1至11的任一项所述的器件。
12.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路为功率集成电路或射频功率集成电路。
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