[发明专利]磁传感器电路在审
申请号: | 201711454126.6 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108427083A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 森良介 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;刘畅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁传感器电路 输出信号 偏移 信号切换部 霍尔元件 选择信号 反相 输出 噪声 信号处理部 方式选择 输出减小 减小 闪变 运算 | ||
1.一种磁传感器电路,其输出与被施加到霍尔元件的磁场强度相应的信号,其中,该磁传感器电路具有:
第1霍尔元件,其输出第1信号和第2信号,所述第1信号和所述第2信号是信号成分相互反相且偏移成分相互反相的两种信号;
第2霍尔元件,其输出第3信号和第4信号,所述第3信号和所述第4信号是信号成分相互反相且偏移成分相互反相的两种信号,所述第3信号具有与所述第1信号的信号成分同相的信号成分且具有与所述第1信号的偏移成分反相的偏移成分,所述第4信号具有与所述第2信号的信号成分同相的信号成分且具有与所述第2信号的偏移成分反相的偏移成分;
信号切换部,其从所述第1信号、所述第2信号、所述第3信号和所述第4信号中,以如下方式选择种类相互不同的至少2个信号作为第1输出信号:在所述偏移成分相互同相的情况下,选择所述信号成分相互反相的信号,在所述偏移成分相互反相的情况下,选择所述信号成分相互同相的信号;以及
信号处理部,其通过对所述信号切换部所选择的所述第1输出信号彼此进行运算,输出减小了所述第1输出信号彼此的偏移成分的第2输出信号。
2.根据权利要求1所述的磁传感器电路,其中,
该磁传感器电路还具有第2信号切换部,该第2信号切换部根据所述信号切换部切换的信号的种类,切换所述第2输出信号的输出目的地。
3.根据权利要求2所述的磁传感器电路,其中,
所述第1霍尔元件、所述第2霍尔元件、所述信号切换部、所述信号处理部和所述第2信号切换部形成在相同的半导体衬底上。
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