[发明专利]磁传感器电路在审
申请号: | 201711454126.6 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108427083A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 森良介 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;刘畅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁传感器电路 输出信号 偏移 信号切换部 霍尔元件 选择信号 反相 输出 噪声 信号处理部 方式选择 输出减小 减小 闪变 运算 | ||
本发明提供一种磁传感器电路。该磁传感器电路具有:第1霍尔元件,其输出第1信号和第2信号;第2霍尔元件,其输出第3信号和第4信号;信号切换部,其从第1信号、第2信号、第3信号和第4信号中,以如下方式选择而输出种类相互不同的至少2个信号作为第1输出信号:在偏移成分相互同相的情况下,选择信号成分相互反相的信号,在偏移成分相互反相的情况下,选择信号成分相互同相的信号;以及信号处理部,其通过对信号切换部所选择的第1输出信号彼此进行运算,输出减小了第1输出信号彼此的偏移成分的第2输出信号,由此提供能够减小闪变噪声等噪声的磁传感器电路。
技术领域
本发明涉及磁传感器电路。
背景技术
作为折叠式移动电话机或笔记本电脑等中的开闭状态检测用传感器,并且作为马达的旋转位置检测传感器,使用了磁传感器电路。
磁传感器电路包含磁电转换元件(例如,霍尔元件)和信号处理电路。该磁电转换元件输出与被施加的磁场强度或者磁通密度相应的电压信号。从磁电转换元件输出的电压信号是微小的电压的信号。信号处理电路利用信号处理电路具备的放大器放大从磁电转换元件输出的电压信号。
在磁电转换元件和信号处理电路中,从磁传感器电路输出的电压信号产生偏移电压。由于该偏移电压,即使在未施加有磁场的零磁场状态下,也从磁传感器电路输出非零的电压。此外,从磁传感器电路输出的电压由于噪声而产生误差。该噪声由于上述的偏移电压、构成电路的单晶体管具有的闪变噪声、单晶体管或电阻元件具有的热噪声等而产生。
以往已知有减小上述的磁电转换元件或放大器具有的偏移电压的影响的磁传感器电路(例如,参照专利文献1)。图8示出该现有的磁传感器电路。磁传感器电路8100具有霍尔元件81a、霍尔元件81b、信号处理电路83。信号处理电路83具有差动放大器84a、差动放大器84b和运算器86。差动放大器84a和差动放大器84b作为全差动放大器工作。运算器86作为加法器工作。
磁传感器电路8100向差动放大器84a的相互不同的输入端子供给从霍尔元件81a输出的信号。磁传感器电路8100向差动放大器84b的相互不同的输入端子输出从霍尔元件81b输出的信号。
磁传感器电路8100向运算器86输出由差动放大器84a和差动放大器84b放大后的信号。运算器86通过将从差动放大器84a和差动放大器84b输出的信号彼此相加,减小从霍尔元件81a和霍尔元件81b输出的信号中包含的偏移电压。
专利文献1:日本特开2014-163692号公报
但是,上述现有的磁传感器电路8100具备的差动放大器84a和差动放大器84b优选由双极晶体管构成。在对差动放大器84a和差动放大器84b由双极晶体管构成的情况与利用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor;互补金属氧化物半导体)工艺构成的情况进行比较时,在利用CMOS工艺构成的情况下,输入偏移电压较高。此外,在利用CMOS工艺构成的情况下,产生闪变噪声等噪声。
即,在差动放大器84a和差动放大器84b利用CMOS工艺构成的情况下,从磁电转换元件输出的电压信号是微小电压,因此信号的品质由于噪声而下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够减少闪变噪声等噪声的磁传感器电路。
为了解决以往的这样的问题,本发明的磁传感器电路采用了如下的结构。
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