[发明专利]一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法在审
申请号: | 201711455520.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108179387A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 文崇斌;朱刘;余芳;胡智向;曾成亮 | 申请(专利权)人: | 清远先导材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 靶材 制备 保温 粉体 促进作用 减压 降压 喷粉 热压 预压 成型 加压 | ||
1.一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法,包括:
A)将物料粉体在5~10MPa下进行冷预压,得到冷预压后的粉体;所述物料粉体为铜铟混合粉体、铜镓混合粉体或铜铟镓混合粉体;
B)在真空度小于3Pa的条件下,将所述冷预压后的粉体先第一次升温至300~400℃,第一次保温0.2~0.8h;再第二次升温至600~700℃,第二次保温55~65min后,开始保温加压,然后保温降压;所述保温加压的压力为45~60MPa;
C)所述保温降压后,将温度降至100~300℃,然后减压,得到铜铟镓硒基系列靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述物料粉体的粒度小于100目。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述冷预压的温度为25℃~45℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤B)中,所述真空度为0.1Pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一次升温的速率为1~5℃/min。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二次升温的速率为5~8℃/min。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述保温加压,然后保温降压具体为:
所述保温加压后,卸掉所述保温加压的压力,在保温的条件下,进行自然降压;
所述保温的温度为第二次保温的温度。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述保温加压的时间为80~120min;所述保温降压的时间为40~135min。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤C)中,所述减压后的压力为5~10MPa。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤C)中,所述减压后还包括冷却至35℃以下。
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